5G射频前端芯片产业报告：自主可控全景图（118）

根据QYR Electronics Research Center的统计，2018年全球市场规模约14.2亿美元，随着5G商业 化落地，智能手机中天线和射频通路的数量将显著增多，对射频低噪声放大器的数量需求会迅速增 加，因此预计在未来几年将维持高增长，2023年将达到17.9亿美元。

紫光展锐是紫光集成电路产业链中的核心企业，自成立以来致力于移动通信和物联网领域核心芯片 的自主研发及设计，产品涵盖涵盖多频段宽带功率放大器、传输模块、WIFI FEM，支持CAT0、 CATM1和CATNB1的物联网前端模块，T/R开关，以及低通滤波器。

汉天下电子是中国领先的射频前端芯片和射频SoC芯片的供应商，主要产品为面向手机终端的 2G/3G/4G全系列射频前端芯片、面向物联网的无线连接芯片，支持高通、联发科、展讯、英特尔 等基带平台，每年芯片的出货量达7亿颗。

卓胜微电子是国内领先的射频前端芯片设计企业，主营射频开关、射频低噪声放大器等射频前端芯 片产品，是业界率先基于RF CMOS工艺实现了射频低噪声放大器产品化的企业之一，是国际上先行 推出集成射频低噪声放大器和开关的单芯片产品的企业之一，发明了拼版式集成射频开关的方法， 极大地缩短了射频开关的供货周期、提高了备货能力。目前产品的应用领域主要包括通信与互联 网，下游客户覆盖了三星、小米、华为等消费电子巨头。

半导体材料共经历了三个发展阶段：第一阶段是以Si、Ge为代表的第一代半导体材料；第二阶段是 以GaAs、InP等化合物为代表的第二代半导体材料；第三阶段是以GaN、SiC、ZnSe等宽禁带半导 体材料为主的第三代半导体材料。  第三代半导体材料具有较大的禁带宽度，较高的击穿电压，耐压与耐高温性能良好，因此更适用于 制造高频、高温、大功率的射频器件。

氮化镓（GaN）是未来最具增长潜质的化合物半导体，与GaAs和InP等高频工艺相比，氮化镓器件 输出的功率更大；与LDCMOS和SiC等功率工艺相比，氮化镓的频率特性更好。