5G终端射频前端半导体行业研究报告：结构性增长（41页）

不同材料的模块化以及减少射频器件之间的干扰是难点。射频前端器件总 体分为两种工艺，一种是半导体工艺（PA/LNA/开关），另一种是 MEMS 工艺 （滤波器）。由于 PA 使用 GaAs HBT，LNA 使用 GaAs/SiGe，射频开关使用 RF SOI 都是属于半导体工艺，而滤波器采用 MEMS 工艺，因此滤波器的集成 是难点。 3G/4G 会是分立式和模块式并存，5G 增量部分大部分都是模块 3G/4G 时代射频前端集成度取决于设计和性价比，分立式和模块并存。出 于空间的考虑，4G 高端机需要部分射频器件采取模块形式，但是射频前端模块 成本相对会高，因此低端机主要是分立式的。一般来说射频集成度与其他类似 设计和定价的智能手机中的射频部分的成本是直接相关的。 5G 时代新增的大部分是模块，且集成度将不断提升。 模块化趋势，5G 新增大部分是 PAMiD、 PA+FEMiD、DRM 模块。 由于手机空间有限，而 5G 需要增加大量的射频前端器件，因此，对 于 5G 频段新增的射频前端器件，主要是模块形式，除了一部分 antenna plexer，小开关，天线调谐开关等之外，大部分的增量都是 模块。 射频模块里的集成度也在不断提升。最开始用于低（大约<1GHz）， 中（~1-2GHz）和高频（~2-3GHz）频率的射频器件被封装在三个单 独的模块中。之后低频段模块扩展到 600MHz，中频和高频模块合二 为一。模块中集成的器件也越来越多，超高频（~3-6GHz）模块将会 支持现有的 LTE 频段和 5G 带来的新频段。毫米波将是颠覆性的变化， 将天线和射频前端集成在一个模块当中。

射频前端价值量增长具有结构性，滤波器、开关等未来增速最快。射频前 端器件虽然整体是高增长的，但是不同的射频前端器件增长也是结构性的。其 中滤波器由于跟频段数相关，增加频段就要增加滤波器，因此滤波器未来几年 复合增速高达 19%，而 PA 由于是化合物半导体工艺，带宽较宽，因此可以多 个频段共用一个 PA，数量上增速相对缓慢。

声学滤波器 SAW 和 BAW 滤波器目前是主流，SAW 成本低占据 73%市场， BAW 更高频率。手机端的滤波器主要以声学滤波器为主，包括 SAW，TCSAW（温度性能改进的 SAW），BAW/FBAR 等。在 SAW 和 BAW 之间，成本 和高频性能是两个主要参考因素， BAW 因为在高频下具有更好的隔离度和插 损，因此高频性能较好，SAW 由于成本更低价格更便宜，目前仍然占据滤波器 市场的大部分，根据 Resonant 的预测数据，SAW 滤波器目前占终端滤波器市 场高达 73%。