半导体材料行业报告：硅片，化学机械抛光耗材，光刻胶，靶材，特气 ，化学品（106页）

其工作原理是在一定压力及抛光液的存 在下，被抛光的晶圆片与抛光垫做相对 运动，借助纳米磨料的机械研磨作用与 各类化学试剂的化学作用之间的有机结 合，使被抛光的晶圆表面达到高度平坦 化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。根据不同工艺制程和技术节点的要求， 每一片晶圆在生产过程中都会经历几道 甚至几十道的CMP抛光工艺步骤。更先进 的逻辑芯片工艺会要求抛光新的材料， 为抛光材料带来了更多的增长机会。即 使是同一技术节点，不同客户的技术水 平和工艺特点不同，对抛光材料的需求 也不同。抛光液的全球产业格局主要分布在国外，国内缺乏世界级的龙头企业。抛光液28nnm及以上产品市场主要被日本的Fujimi、Himonoto Kenmazai公司，美国的Cabot、杜邦、Rodel、Eka，韩国的ACE等公司所垄断，占据全球高端市场份额90%以上 ， 其中Cabot多年占据市场份 额首位。根据Semi数据，国内产业中Cabot占领约64%的市场份额，国内CMP龙头安集科技占领22%，其余为中小厂商。抛光垫的全球市场格局主要被Dow、Cabot、Thomas West等外资厂商垄断。前5大厂商占据全球市场约90%，其中Dow占领79%的全球份额。在 国内，Dow垄断中国近90%的CMP抛光垫市场供给，是国产替代的主要对象。国内较知名的抛光垫厂商为鼎龙股份。

光刻胶是一种对光敏感的混合液体，是微电子技术中微细图形加工的关键材料。它由光引发剂（光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、 溶材料剂、单体（活性稀释剂）和其他助剂组成。光刻胶是光刻工艺的核心材料。在光刻工艺中，光刻胶被涂抹在衬底上，光照或辐射通过掩膜板照射到衬底后，光刻胶在显影溶液中的溶 解度便发生变化，经溶液溶解可溶部分后，光刻胶层形成与掩膜版上完全相同的图形，再通过刻蚀在衬底上完成图形转移。根据下游应用 的不同，衬底可以为印刷电路板、面板面板和集成电路板。据智研咨询，光刻工艺的成本约占整个芯片制造工艺的35%，耗时占整个芯片工 艺的40%到60%，是半导体制造中的核心工艺。光刻胶材料约占芯片制造材料总成本的4%，是半导体集成电路制造的核心材料。中国光刻胶市场本土供应量增速高于全球平均水平，发展空间巨大。据智研咨询统计，2019年全球光刻胶市场规模预计近90亿美元，自 2010年至2019年CAGR约5.4%，预计至2022年全球光刻胶市场规模将超过100亿美元。2019年我国光刻胶市场本土供应量约70亿元，自2011 年至2019年CAGR达到11%，远高于全球平均5%的增速，但中国光刻胶本土产量仅占全球规模的10%左右，发展空间巨大。光刻胶国产化率不断提升，2018年达到58%。据智研咨询数据，中国本土光刻胶产量从2011年的2.25万吨增长到2018年的4.88万吨，光刻 胶需求量从2011年的3.51万吨增长到2018年的8.44万吨，近几年中国本土光刻胶产量保持高速增长，国产化率不断提升，2018年国产化率 达到58%。