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半导体材料行业报告:硅片,化学机械抛光耗材,光刻胶,靶材,特气 ,化学品(106页)

行业报告下载 2020-08-07 1 管理员 编辑

其工作原理是在一定压力及抛光液的存 在下,被抛光的晶圆片与抛光垫做相对 运动,借助纳米磨料的机械研磨作用与 各类化学试剂的化学作用之间的有机结 合,使被抛光的晶圆表面达到高度平坦 化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。根据不同工艺制程和技术节点的要求, 每一片晶圆在生产过程中都会经历几道 甚至几十道的CMP抛光工艺步骤。更先进 的逻辑芯片工艺会要求抛光新的材料, 为抛光材料带来了更多的增长机会。即 使是同一技术节点,不同客户的技术水 平和工艺特点不同,对抛光材料的需求 也不同。抛光液的全球产业格局主要分布在国外,国内缺乏世界级的龙头企业。抛光液28nnm及以上产品市场主要被日本的Fujimi、Himonoto Kenmazai公司,美国的Cabot、杜邦、Rodel、Eka,韩国的ACE等公司所垄断,占据全球高端市场份额90%以上 , 其中Cabot多年占据市场份 额首位。根据Semi数据,国内产业中Cabot占领约64%的市场份额,国内CMP龙头安集科技占领22%,其余为中小厂商。抛光垫的全球市场格局主要被Dow、Cabot、Thomas West等外资厂商垄断。前5大厂商占据全球市场约90%,其中Dow占领79%的全球份额。在 国内,Dow垄断中国近90%的CMP抛光垫市场供给,是国产替代的主要对象。国内较知名的抛光垫厂商为鼎龙股份。

光刻胶是一种对光敏感的混合液体,是微电子技术中微细图形加工的关键材料。它由光引发剂(光增感剂、光致产酸剂)、光刻胶树脂、 溶材料剂、单体(活性稀释剂)和其他助剂组成。光刻胶是光刻工艺的核心材料。在光刻工艺中,光刻胶被涂抹在衬底上,光照或辐射通过掩膜板照射到衬底后,光刻胶在显影溶液中的溶 解度便发生变化,经溶液溶解可溶部分后,光刻胶层形成与掩膜版上完全相同的图形,再通过刻蚀在衬底上完成图形转移。根据下游应用 的不同,衬底可以为印刷电路板、面板面板和集成电路板。据智研咨询,光刻工艺的成本约占整个芯片制造工艺的35%,耗时占整个芯片工 艺的40%到60%,是半导体制造中的核心工艺。光刻胶材料约占芯片制造材料总成本的4%,是半导体集成电路制造的核心材料。中国光刻胶市场本土供应量增速高于全球平均水平,发展空间巨大。据智研咨询统计,2019年全球光刻胶市场规模预计近90亿美元,自 2010年至2019年CAGR约5.4%,预计至2022年全球光刻胶市场规模将超过100亿美元。2019年我国光刻胶市场本土供应量约70亿元,自2011 年至2019年CAGR达到11%,远高于全球平均5%的增速,但中国光刻胶本土产量仅占全球规模的10%左右,发展空间巨大。光刻胶国产化率不断提升,2018年达到58%。据智研咨询数据,中国本土光刻胶产量从2011年的2.25万吨增长到2018年的4.88万吨,光刻 胶需求量从2011年的3.51万吨增长到2018年的8.44万吨,近几年中国本土光刻胶产量保持高速增长,国产化率不断提升,2018年国产化率 达到58%。

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标签: 3C电子|微纳电子|家电

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