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2024-03-07 31 智能制造行业报告
湿法干清洗工艺相互补充,设备多样化。半导体工艺中,杂质的存在会导致崩溃电压降低、氧化速率改变、电学性质改变等问题而导致成品良率下降。需要处理和清洗的杂质种类繁多,主要包含微粒、金属离子有机物、微粗糙和氧化物五类。颗粒包含聚合物、光刻胶和刻蚀杂质,这些杂质吸附在圆片表面,影响器件光刻工序几何图形的形成及电学参数等;有机物杂质包括细菌、机械油、光刻胶、清洗溶剂等,来源广泛,会在硅片表面形成薄膜阻碍对于圆片的清洗、加工等,因而通常在清洗步骤中首先清洗有机物;常见的金属杂质包括铁、铜、铝、铬等,来源于各种工艺和设备,如加工用设备和化学试剂等;微粗糙通常来源于原材料和化学品,会影响电学性质;氧化物是半导体圆片暴露在空气和水的环境下而在表明形成的自然氧化层,会妨碍半导体生产链的许多工序,并形成电学缺陷。
工艺技术和应用条件上的区别使得目前市场上的清洗设备也有明显的差异化,目前,市场上最主要的清洗设备有单晶圆清洗设备、自动清洗台和洗刷机三种。在21世纪至今的跨度上来看,单晶圆清洗设备、自动清洗台、洗刷机是主要的清洗设备,其他清洗设备包括超声/兆声清洗设备、晶圆盒清洗设备、干法清洗设备(如等离子清洗设备)等,占比较小。
从全球市场销售份额来看,单晶圆清洗设备在2008年之后超过自动清洗台成为最主要的清洗设备,而这一年是行业引入45nm节点的时间。根据ITRS,2007年至2008年是45nm工艺节点量产的开始。松下、英特尔、IBM、三星等纷纷于此时段开始量产45nm。2008年底,中芯国际获得了IBM批量生产45纳米工艺的授权,成为中国首家向45nm迈进的中国半导体公司。
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