半导体设备产业深度报告：布局国产半导体设备的历史性机遇（114页）

行业报告下载 2018年10月14日 07:10 管理员

12 英寸单晶炉最大的技术壁垒在于磁场和热场，日本在热场和磁场方面处于领先地位，国内对超导磁场仍然依赖进口。随着单晶硅的直径不断增大，单晶炉的尺寸也随之增大。

为了保证晶体的品质，必须要提供更稳定的热场和性能更强的磁场。目前日本在12 英寸长晶炉磁场上处于世界领先，他们使用超导材质作为磁头材料，大大提升了磁场的性能，有着高场强、低功耗的有点。而国内公司外加磁场装置以电磁铁为主，多采用铁芯作为磁头材料，并不能产生超导磁场，能耗很高，磁场强度也有一定的局限性。热场方面，国内受制于石墨材料碳含量无法达到要求，国产替代存在一定难度。另一种晶体生长方法是区熔法，它所产生的单晶硅锭的含氧量非常少。区熔法生长单晶硅锭是把掺杂好的多晶硅棒铸在一个模型里。一个籽晶固定到一端然后放进生长炉中。用射频线圈加热籽晶与硅棒的接触区域。调节温度使熔区缓慢地向棒的另一端移动，通过整根棒料，生长成一根单晶，晶向与籽晶的相同。