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2025-01-16 93 电子行业报告
目前第三代半导体器件已经迅速进入了新能源汽车、光伏逆变、5G 基站、PD 快充等应用领域,碳化硅主要 应用在新能源汽车和工控等领域,氮化镓器件主要应用在5G基站等领域。2020 年我国第三代半导体产业电力 电子和射频电子总产值超过 100 亿元,同比增长 69.5%。其中,SiC、GaN 电力电子产值规模达 44.7 亿元, 同比增长 54%; GaN 微波射频产值达到 60.8亿元,同比增长 80.3%。碳化硅功率器件被广泛应用于新能源汽车中的主驱逆变器、DC/DC转换器、充电系统中的车载充电机和充电 桩等,光伏、风电等领域。受益新能源汽车的放量,碳化硅功率器件市场将快速增长。
根据Yole数据,2018年和2024年碳化硅功率器件市场规模分别约4亿和50亿美金,复合增速约51%,按照该 复合增速,2027年碳化硅功率器件市场规模约172亿美金。碳化硅基氮化镓射频器件被大量应用在5G宏基站、卫星通信、微波雷达、航空航天、电子对抗等国防军工领 域,随着5G建设的逐步展开,氮化镓射频器件市场规模将有较快增长。 根据Yole统计,2018年和2024年氮化镓射频器件市场规模分别约为6亿美金和20亿美金,复合增速为20.76%。受益新能源汽车的放量和5G建设应用的推广,碳化硅衬底材料市场规模有望实现快速增长。 根据Yole统计,碳化硅衬底材料市场规模将从2018年的1.21亿美金增长到2024年的11亿美金,复合增速达 44%。按照该复合增速,2027年碳化硅衬底材料市场规模将达到约33亿美金。
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