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2024-03-07 31 智能制造行业报告
产业三大生产工艺环节及对应设备。IC产品生产附加值极高,工艺进步依托于设备提升。目前的集成电路技术大多基于元素硅,并在晶片上构建各种复杂电路。硅元素在地壳中的含量达到26.4%,是仅次于氧的第二大元素,而单晶硅则可通过富含二氧化硅的砂石经提炼获得。由价格低廉的砂石到性能卓越的芯片,IC的生产过程就是硅元素附加值大量增长的过程。从最初的设计,到最终的下线检测,生产过程需经过几十步甚至几百步的工艺,整个制造过程工艺复杂,其中任何一步的错误都可能是最后导致产品失效的原因,因此对设备可靠性的要求极高。下游厂商也愿意为高可靠性、高精度设备支付技术溢价,这也是半导体投资中设备投资占比较高的原因之一。
IC 制造核心工艺:光刻、刻蚀、成膜。IC制造是将光罩上的电路图转移到晶圆上的过程,这段时期硅晶片附加值增长最快。该环节的制造难度相较后端的封装测试要高很多,对于设备稳定性和精度的要求极高,该部分设备投资体量巨大,占整体设备投资的70%以上。其核心工艺主要包含晶圆制造、镀膜、光刻、刻蚀、离子注入5大环节。
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