中国功率半导体和第三代半导体发展现状和前景分析报告（33页）

行业报告下载 2023年12月22日 08:02 管理员

MOSFET和IGBT为功率半导体产品主力产品。MOSFET具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单和辐射强等优点，通常被用于放大电路或开关电路。IGBT由BJT和MOSFET组合而成且兼具两者优点，即高输入阻抗、低导通压降、驱动功率小而饱和压降低等。自20世纪80年代发展至今，IGBT共计经历了7代技术及工艺的升级。从平面穿通型（PT）始，发展至目前最新的微沟槽场截止型（Micro-Pattern Trench）技术，IGBT在芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降及关断时间等各项指标方面不断进行优化。我国IGBT需求结构与全球市场不同，新能源汽车、消费电子和工控是IGBT需求占比最大的下游领域，市占率分别为31%、27%和20%。我国IGBT在新能源汽车、新能源发电等领域应用占比远超全球平均水平，受益于国家“双碳”战略，行业需求旺盛，下游IGBT用量大幅增加，成为国内IGBT需求增长的主要驱动力。IGBT等功率器件是新能源发电逆变器实现逆变功能的核心，主要应用在DC/DC升压、DC/AC逆变电路中，在中国能源发电市场加速转型的背景下，光伏发展大有可为。这也是IGBT市场强劲的驱动力，增速将持续远超全球平均水平。