军工芯片专题研究报告（40页）

数字集成电路：用来产生、放大和处理各种数字信号（指在时间上和幅度上离散取值的信号。例如3G 手机、数码相机、电脑CPU、数字电视的逻辑控制和重放的音频信号和视频信号）。数字电路更为常见，多用在处理、存储和运算模块。

混合集成电路：在同一个电路系统中通过信号转换，结合了模电以及数电单元，以实现复杂的技术控制功能。在设计环节，可通过SoC 技术（System on Chip 系统芯片）实现，在封装环节，可通过膜工艺、SIP(System In a Package 系统封装)和MCM(Multi-Chip Module 多芯片组件)等实现。混合集成电路是达到高密度、高性能和高可靠性的互连封装的有效手段，用于数字和模拟信号的转换以及数模电路的模块集成。应用前景广阔。

军用集成电路分为芯片和模块两层级。军工电子产业链大致可分为整机厂、分系统承包商、核心模块和元器件供应商这三类，相互之间的业务层级明确，从上而下依次传递产品需求，从下至上依次交付合格产品。军工电子产品，尤其是应用于现代化武器作战平台上的核心电子组件和小型系统级产品，一般为定制化军用大规模集成电路，绝大多数军用集成电路属于专用集成电路的范畴分类。据统计，在美国国防部研制的新型电子系统（包括导弹制导装臵、雷达、战斗机载电子设备等）中，将近80％的非存储器电路都是专用集成电路。

模块层级基本具备集成能力，瓶颈在元器件层级的高端军用芯片。在军用集成电路中，模块层级的混合集成电路，采用膜工艺（薄膜或厚膜工艺）以及更高密度集成的MCM 和SIP 封装技术实现。由于军事电子装备高性能、多功能、小型化、高可靠的迫切要求, 随着微组装、封装和材料等技术的进步，混合集成电路技术发展很快。我国在混合集成电路领域起步较早，80 年代引进了一批膜集成工艺和设备，在军用混合集成电路领域应用广泛，基本具备集成能力。因此，我国军用集成电路的瓶颈仍在军工元器件层级的高端军用芯片。