碳化硅SiC行业报告：功率渗透率提升与AI+AR双轮驱动（26页）

行业报告下载 2025年12月30日 06:38 管理员

碳化硅（SiC）成为驱动技术升级与效率革命的关键支撑。作为第三代宽禁带半导体核心材料，凭借禁带宽度大、击穿电场高、热导率优、电子饱和漂移速度快等突出性能，正全面渗透新能源、AI、通信、AR 四大高增长产业，其应用场景从功率器件延伸至散热材料、光学基底等领域，需求呈爆发式增长，行业即将进入高速发展期。在新能源领域，SiC 是实现高效节能的核心器件，我们预计 2030 年，全球 “新能源车+充电桩+光储”对碳化硅衬底（6 吋当量，若非特殊说明，下同）的需求量约 577 万片，CAGR~36.7%。新能源汽车领域，800V 高压平台逐步普及，2025 年渗透率已达 11.17%，SiC MOSFET 应用于主驱逆变器、DCDC 转换器等核心部件，可使整车能耗降低 8%-10%。我们测算得，2030 年全球新能源车领域 SiC 衬底需求达 432 万片，中国 328 万片。高压直流充电桩方面，政策推动下 2027 年将建成 10 万台大功率充电桩，SiC 凭借耐高压特性成为达标关键，2030 年全球 SiC 衬底需求 51 万片，中国 29 万片。光储领域，SiC 将提升光伏逆变器与储能变流器效率，2030 年全球碳化硅衬底需求 94 万片，中国 30 万片。