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2026-07-28 17 电子行业报告
电RAM与DRAM对比分析报告（11页）
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2026年07月29日 07:40
管理员
电容是算力系统的"电 RAM"，这一比喻正在从叙事走向工程现实。我们在电容系列第一篇（5 月 16 日）即提出 "电容是新的电 RAM"——HBM 是数据的缓冲、电容是能量的缓冲。电 RAM 与 DRAM 的相似之处主要有以下几 点：存储系统的"DRAM 刷新—缓存层级—容量墙"，分别对应电容在 AI 供电系统中的"充放电响应—多级时间常 数—容量配置"。二者在系统角色、层级结构、量价驱动上高度同构，并非只是修辞上的相似。算力越强，对"电 能缓冲"的依赖越深，正如算力越强对"数据缓冲"的依赖越深——这是电容需求脱离"按 GPU 颗数线性外推"的根 本原因。
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