半导体晶圆应用行业报告：自主可控（35页）

行业报告下载 2018年08月04日 07:06 管理员

20 世纪50 年代，锗（Ge）是最早采用的半导体材料，最先用于分立器件中。集成电路的产生是半导体产业向前迈进的重要一步，1958 年7 月，在德克萨斯州达拉斯市的德州仪器公司，杰克·基尔比制造的第一块集成电路是采用一片锗半导体材料作为衬底制造的。

半导体器件产值来看，全球95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路采用硅作为衬底材料。2017 年全球半导体市场规模约4122 亿美元，而化合物半导体市场规模约200亿美元，占比5%以内。从晶圆衬底市场规模看，2017 年硅衬底年销售额87 亿美元，GaAs衬底年销售额约8 亿美元。GaN 衬底年销售额约1 亿美元，SiC 衬底年销售额约3 亿美元。硅衬底销售额占比达85%+。在21 世纪，它的主导和核心地位仍不会动摇。但是Si 材料的物理性质限制了其在光电子和高频、高功率器件上的应用。半导体晶圆应用行业报告：自主可控（35页）

20 世纪90 年代以来，以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表的第二代半导体材料开始崭露头脚。GaAs、InP 等材料适用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料，广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信、GPS 导航等领域。但是GaAs、InP 材料资源稀缺，价格昂贵，并且还有毒性，能污染环境，InP 甚至被认为是可疑致癌物质，这些缺点使得第二代半导体材料的应用具有很大的局限性。

第三代半导体材料主要包括SiC、GaN 等，因其禁带宽度（Eg）大于或等于2.3 电子伏特（eV），又被称为宽禁带半导体材料。和第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求，是半导体材料领域最有前景的材料，在国防、航空、航天、石油勘探、光存储等领域有着重要应用前景，在宽带通讯、太阳能、汽车制造、半导体照明、智能电网等众多战略行业可以降低50%以上的能量损失，最高可以使装备体积减小75%以上，对人类科技的发展具有里程碑的意义。

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