5G终端射频前端半导体行业研究报告：结构性增长（41页）

行业报告下载 2019年09月05日 07:07 管理员

不同材料的模块化以及减少射频器件之间的干扰是难点。射频前端器件总体分为两种工艺，一种是半导体工艺（PA/LNA/开关），另一种是 MEMS 工艺（滤波器）。由于 PA 使用 GaAs HBT，LNA 使用 GaAs/SiGe，射频开关使用 RF SOI 都是属于半导体工艺，而滤波器采用 MEMS 工艺，因此滤波器的集成是难点。 3G/4G 会是分立式和模块式并存，5G 增量部分大部分都是模块 3G/4G 时代射频前端集成度取决于设计和性价比，分立式和模块并存。出于空间的考虑，4G 高端机需要部分射频器件采取模块形式，但是射频前端模块成本相对会高，因此低端机主要是分立式的。一般来说射频集成度与其他类似设计和定价的智能手机中的射频部分的成本是直接相关的。 5G 时代新增的大部分是模块，且集成度将不断提升。模块化趋势，5G 新增大部分是 PAMiD、 PA+FEMiD、DRM 模块。由于手机空间有限，而 5G 需要增加大量的射频前端器件，因此，对于 5G 频段新增的射频前端器件，主要是模块形式，除了一部分 antenna plexer，小开关，天线调谐开关等之外，大部分的增量都是模块。射频模块里的集成度也在不断提升。最开始用于低（大约<1GHz），中（~1-2GHz）和高频（~2-3GHz）频率的射频器件被封装在三个单独的模块中。之后低频段模块扩展到 600MHz，中频和高频模块合二为一。模块中集成的器件也越来越多，超高频（~3-6GHz）模块将会支持现有的 LTE 频段和 5G 带来的新频段。毫米波将是颠覆性的变化，将天线和射频前端集成在一个模块当中。

射频前端价值量增长具有结构性，滤波器、开关等未来增速最快。射频前端器件虽然整体是高增长的，但是不同的射频前端器件增长也是结构性的。其中滤波器由于跟频段数相关，增加频段就要增加滤波器，因此滤波器未来几年复合增速高达 19%，而 PA 由于是化合物半导体工艺，带宽较宽，因此可以多个频段共用一个 PA，数量上增速相对缓慢。

声学滤波器 SAW 和 BAW 滤波器目前是主流，SAW 成本低占据 73%市场， BAW 更高频率。手机端的滤波器主要以声学滤波器为主，包括 SAW，TCSAW（温度性能改进的 SAW），BAW/FBAR 等。在 SAW 和 BAW 之间，成本和高频性能是两个主要参考因素， BAW 因为在高频下具有更好的隔离度和插损，因此高频性能较好，SAW 由于成本更低价格更便宜，目前仍然占据滤波器市场的大部分，根据 Resonant 的预测数据，SAW 滤波器目前占终端滤波器市场高达 73%。