关键半导体设备国产化研究报告：大陆自主晶圆厂投产进度（22页）

行业报告下载 2019年12月06日 06:21 管理员

2019年Q2起大陆自主晶圆厂进入投产高峰，未来三年半导体设备需求迎来爆发式增长。根据2017年至今大陆自主晶圆厂开工以及投产情况统计，测算未来19-22年半导体设备总投资在700美元左右，同比 2018年120亿美元有很大增长空间，且大陆自主晶圆厂国产化率友好度远高于2018年海外复制线，晶圆厂本身扩产有降本的采购需求，有利于国产化率的提升，2018年国产化率不到5%，提升空间巨大。

分器件梳理半导体设备国产化进程：28nm以下中低端制程是目前国产设备角逐的主战场；功率 &Special工艺要求相对较低好验证，但与二手设备竞争激烈；存储器件工艺上具有一定难度，国产设备积累较少，但我们认为突破性价比高，主要基于：①国内大力发展存储产业，新增产能较多；②存储器件结构大量相同单元迭加设备参数要求相对单一适宜批量生产；③存储器同质化竞争激烈，存储企业必须依靠规模效应体现竞争力将不断扩充生产线，一旦通过认证将为国产设备提供源源不断的订单需求。

北方华创与中微公司引领国产替代，关键层设备在长存项目国产化率快速提升。根据公开招标数据显示，长江存储历次规模化招标时点基本与新产品（32层/64层 NAND)研发节奏同步，并于2019年9月份开启第三轮招标，预计为2021年10万片/月产能做准备。根据前两轮关键层设备招标情况分析，中微公司 28nm以下Dielectric刻蚀已进入量产阶段，并率先通过14nm部分工艺验证；北方华创硅刻蚀设备19年3月首次批量进入长存供应链，等离子刻蚀设备于10月实现重复中标。PVD领域北方华创在Hard Mask及AlPad环节已有订单突破，未来CuBS核心工艺验证通过将成为新的业绩增长点。同时北方华创在氧化扩散工艺第二轮中标40台，占据主要市场份额。