射频前端行业报告：5G射频前端（42页）

行业报告下载 2020年07月13日 06:58 管理员

随着通信网络频段的扩充和向高频段发展的趋势，射频前端模块也在随着网络的升级而变化，进入 2020 年以后 5G 将带动超高带宽模组和毫米波模组逐渐会成为主流，同时 LB 领域将逐步进行 Band Refarming。射频芯片发展路径基本遵循模拟 IC 的发展路径，追求性能提升的同时不断降低成本，但不同之处在于受信号频率不断的升级，器件材料和工艺平台也在不断变化。射频芯片相关的材料工艺包括 RF CMOS、SOI、砷化镓、锗硅以及压电材料等，以及 5G 时代出现的新材料工艺 GaN、MEMS 等，行业中的各厂商需在不同应用背景下，寻求材料、器件和工艺的最佳组合，以提高射频前端芯片产品的性能和成本竞争力。

GaAs 和 GaN 等化合物和宽禁带半导体材料将得到大规模应用。新一代半导体材料具有更大的禁带宽度，更高的载流子速率，更好的导热效率等特点，适用于高频高压领域，随着 5G 通信的波长更短，甚至到毫米波级别，传统的硅基 PA 难以满足要求，GaAs/GaN 基射频器件市场份额将显著提升。在射频领域，采用集成模组还是采用分立器件的形式，全球主要手机厂商均有自己的路线。如三星、苹果等手机厂商倾向于采取集成的方式将射频前端的复杂性留给博通、Skyworks、Qorvo、村田这些射频模组制造商去解决。而国内的华为、小米、OPPO、VIVO 等厂商都倾向于采用“分立器件”的方式，尽可能降低射频端成本。5G 被引入智能手机，无疑让已经很复杂的射频前端变得更加复杂。

在 5G 更高频段中，由于所对应天线尺寸的相对缩小，可以把足够多的天线塞入设备中以保证通信的稳定可靠性，把多根天线进行合成，建立低成本、低损耗的互联电路，同时对供应链的优化，对架构以及产品、工艺技术的升级都可以有效改善成本结构。天线的不断增多虽然能够保证 5G 信号的稳定接收，但这也带来了一个矛盾，持续增加的射频前端数量和 PCB 板可用面积趋紧之间的矛盾，这促使了射频前端模块化的发展。