湿化学品行业报告：12 英寸晶圆厂扩产推动湿化学品需求（24页）

行业报告下载 2020年08月22日 07:49 管理员

根据 SEMI 的分类标准，应用于半导体领域的湿化学品纯度要求基本集中在 SEMI G3、 G4 水平，我国的研发水平与国际尚存在较大差距。其中分立器件对超净高纯试剂纯度的要求要低于集成电路，基本集中在 SEMI G2 级水平，国内企业的生产技术能够满足大部分的生产需求。面板显示和 LED 领域的等级要求为 SEMI G2、G3 水平，国内企业的生产技术能够满足大部分的生产需求。光伏太阳能电池领域一般只需要 SEMI G1 级水平是目前国产超净高纯试剂的主要市场。

超净高纯试剂主要应用于硅晶圆的清洗和蚀刻过程。晶圆清洗试剂用于前端加工关键工艺。由于集成电路内各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。因此在集成电路加工之前，必须对晶圆进行清洗，清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。蚀刻工艺是通过蚀刻液与特定薄膜材料发生化学反应，从而除去光刻胶未覆盖区域的薄膜，实现图形转移，获得器件的结构。

光刻配套试剂主要应用于晶圆制造的涂胶、显影和去胶三个阶段。显影液和去胶液的成分是针对不同的光阻材料设计而成的，此过程涉及的湿化学品包括 H2O2、Na2SO3，以及 KOH 和 NaOH 等碱性溶液，针对不同的显影液和去胶液，其配方成分均不相同。光刻配套试剂会直接影响晶圆光刻图形化效果。湿化学品在后段高端封装领域的应用集中在清洗、溅射、黄光、蚀刻等工艺环节。