射频芯片行业报告：WiFi-FEM（23页）

行业报告下载 2021年06月14日 06:49 管理员

以WiFi-FEM集成的功率放大器、低噪声放大器和射频开关为主，射频功率放大器的主要技术指标就是输出功率、线性度与效率。GaAs工艺能为PA提供最佳的应用性能，是PA的主流工艺，WiFi连接模组推动了基于SiGe工艺的PA进一步发展与应用。无论是分立器件还是集成在射频模组中，5G的高频段应用都对LNA提出了新的要求。LNA的增益和噪声系数都需要提升以满足应用的要求，RF CMOS、SiGe 和RF SOI工艺都是LNA的主流工艺。射频开关的重要指标是可靠性，RF SOI是射频开关的主流工艺，将长期占绝对的市场份额。同时我们看好短期行业产能紧缺情况下，国内Fabless射频前端IC设计厂商基于第三方Foundry代工产能与原有下游客户群的WiFi-FEM国产替代的新机遇下的表现。射频前端芯片不同于数字芯片以及模拟芯片，其工艺制程的使用较为特殊以及分散，不同射频芯片所需要的设计和代工制程不同。

因此对于射频前端芯片厂商需要具备多种工艺代工资源，以保证自身产品性能验证通过后在客户端实现稳定的供给。竞争格局以海外龙头企业为主，国产替代空间广阔。根据产品集成的方式，因此我们可以判断WiFi-FEM的设计核心主要为PA（功率放大器）和低噪声放大器（LNA），因此行业早期主要玩家以Skyworks和Qorvo等海外主流射频前端设计企业为主，根据立积电子法说会预计市占率在40-50%与30-40%之间。同时在国产替代趋势之下，国内路由器客户、运营商客户对非美供应商采取积极态度，因此台湾立积电子在国产路由器客户拓展顺利，预计全球市占率在15%左右。WiFi-FEM指的是用于WiFi通信将一系列射频前端电路例如功率放大器（PA）、射频开关、低噪声放大器（LNA）、滤波器和双工器集成在一起的小模组。根据行业市占率领先者Qorvo官网披露的产品形式，我们可以看出当前阶段针对于WiFi通信的2.4GHz以及5.8GHz频段，集成功率放大器、射频开关以及低噪声放大器依然为 WiFi-FEM产品主流的产品集成方式。