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2025-04-17 11 电子行业报告
半导体光刻胶根据对应的波长可分为紫外光刻胶(300-450nm)、深紫外光刻胶(160-280nm)、极 紫外光刻胶(EUV,13.5nm)、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。同时随着DUV光源被 广泛采用,化学放大(CAR)技术逐渐成为行业应用的主流。 不同曝光波长的光刻胶,其适用的光刻极限分辨率不同。通常来说,在使用工艺方法一致的情况下,波长 越短,加工分辨率越佳。 目前,主要的光刻胶由g、i、KrF、ArF四类组成。这4种光刻胶,由于需求的不同,光刻胶的各组成部分 及其比例也各不相同。半导体光刻胶随着市场对半导体产品小型化、功能多样化的要求,而不断通过缩短曝光波长提高极 限分辨率,从而达到集成电路更高密度的集积。随着IC集成度的提高,世界集成电路的制程工艺水 平已由微米级进入纳米级。
为适应集成电路线宽不断缩小的要求,光刻胶的波长由紫外宽谱向g线(436nm)→i线 (365nm)→KrF(248nm)→ArF(193nm)→F2(157nm)→EUV(13.5nm)的方向转移,并通过分 辨率增强技术不断提升光刻胶的分辨率水平。 根据摩尔定律,光源波长与加工线宽呈线性关系,当采用低于248nm的深紫外光,将在单位面积 上实现更高的电子元件集成度,进而大幅提升芯片性能。2019年全球半导体市场销售额4123亿美元,同比下降12%,主要由于存储市场的周期性导致。根 据2020年6月由WSTS(全球半导体交易统计)发布的资料,2020年全球半导体销售额将达到 4260亿美元,表现不及预期。这主要归咎于新冠疫情对全球经济和供应链的负面作用。WSTS预测 ,2021年的半导体销量将反弹至4520亿美元。 据SEMI的统计数据显示,2016-2019年,全球半导体光刻胶的市场规模从15亿美元增长至2019 年的18亿美元,年复合增速达6.3%,据此预测,2020年,全球半导体光刻胶市场规模约为19亿 美元。
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