UPS,即不间断电源,是一种含有储能装置,以逆变器为主要组成部分的恒压恒频的不间断电源。主要用于给单台计算机、 计算机网络系统或其它电力电子设备提供不...
2025-04-20 4 新能源及电力行业报告
平价上网和“双碳”政策共驱光伏行业景气度高涨。2021年我国光伏新增装机量54.88GW,同比高增13.9%,其中,分布式新 增29.28GW,占比53.4%。 根据CPIA预测,2022-2025年,我国年均新增光伏装机将达到83-99GW,全球光伏年均新增装机将达232-286GW。目前PERC 技术效率提升瓶颈已现,对高效电池片需求提升。TOPCon、HJT高效电池片技术路线逐渐成熟,且转换效率提升空间大, 性价比优势逐渐显现,已逐步进入大规模产业化阶段,IBC(或HBC/TBC等)、钙钛矿(叠层)等技术也有望成为明日之星。薄膜沉积方法通常有CVD(化学气相淀积)和PVD (物理气相淀积)。除此之外,还有RPD等其他类型镀膜设备。
在光伏 电池制造中,常用的镀膜方法有LPCVD、PECVD、ALD、RPD等。CVD广泛用于氧化硅、氮化物、多晶硅等沉积。 CVD包括APCVD(常压)、LPCVD(低压)和PECVD(等离子增强)、ALD(原子层沉积)等。 APCVD和LPCVD:通过气体混合化学反应在硅片表面沉积膜的工艺,APCVD内部环境为常压,高温(700-900℃) ,系统 简单,反应速度快,但是均匀性、台阶覆盖能力差。LPCVD内部环境为低压、高温(750 ℃左右),镀膜质量较好。 PECVD:指借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体后发生反应,并在基质表面沉积膜的 方法。内部环境为低压、低于450℃,设备形态分为管式PECVD设备和板式PECVD设备。 ALD:一种变相的CVD工艺,通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在基体上化学吸附并反应形成沉积膜的方法。 PVD:指将材料源表面气化并通过低压气体/等离子体在基体表面沉积,包括蒸发、溅射、离子束等。
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