衬底环节是金属材料在半导体器件中的关键环节,所谓衬底即是一种用于制 造半导体器件的材料基底,常见的衬底包括硅、锗、碳化硅等。在生产半导体芯 片的工艺流...
2024-03-05 33 新材料及矿产报告
陶瓷基复合材料的可设计性很大程度源于界面层,理想的界面层应具有以下功 能:(1)在制备过程中抑制或阻止物理收缩和化学反应对陶瓷纤维损伤;(2)缓解 纤维与基体间界面残余热应力;(3)在复合材料遭受外部载荷冲击时,将载荷由基体 传递至纤维,起到载荷传递作用;(4)改善界面结合强度,充分发挥界面解离、纤维 拔出等能量耗散机制,使复合材料断裂时呈现假塑性特征。近年来用于复合材料制备 的界面层体系主要有热解碳界面层(PyC)、BN 界面层、复合界面层。碳化硅纤维性能良好,常用作耐高温材料和增强材料。碳化硅纤维是一种以碳和 硅为主要成分的高性能陶瓷材料,从形态上分为晶须和连续碳化硅纤维,具有高温耐 氧化性、高硬度、高强度、高热稳定性、耐腐蚀性和密度小等优点。与碳纤维相比, 在极端条件下,碳化硅纤维能够保持良好的性能。由于其具有良好的性能,在航空航 天、军工武器装备等高科技领域备受关注,常用作耐高温材料和增强材料。 2.1.1.碳化硅纤维制备工艺 碳化硅纤维的制备方法主要有先驱体转化法、化学气相沉积法(CVD)和活性炭纤 维转化法 3 种。3 种制备方法各有优缺点,而且使用不同制备方法制备的碳化硅纤维 也具有不同的性能。
化学学气相沉积法(CVD 法)制备碳化硅纤维纯度较高,但由于直径较粗,较难 织成复合材料。CVD 法的基本原理就是在连续的钨丝或碳丝芯材上沉积碳化硅。该方 法的制备过程中,利用碳丝更为合适。一方面,碳的质量比钨的质量小,可以制得更 轻的碳化硅纤维;另一方面,钨与碳化硅会发生化学反应,使得在高温环境下碳化硅 纤维的强度变差。在碳丝上沉积碳化硅能够得到更稳定的碳化硅纤维及其复合材料。 CVD 法制备的碳化硅纤维的纯度比较高,因此纤维在高温下的强度、抗蠕变、稳定性 等性能良好。但是,与先驱体转化法相比,CVD 法制备的碳化硅纤维直径较粗,无法 进行编织,因此在利用纤维制成复合材料时比较困难。 活性炭纤维转化法原料价格低廉,制备过程相对简单,适合工业化生产。活性 炭纤维转化法是在先驱体转化法和 CVD 法之后被研发出来的。主要包括制备活性炭纤 维、高温反应气态氧化硅、热处理生产碳化硅纤维三步。因为制备活性炭纤维的原材 料价格比较低廉,并且制备过程也比较简单,所以利用活性炭纤维转化法制备碳化硅 纤维的成本较低。与先驱体转化法和 CVD 法相比,该方法更适用于工业化生产碳化硅 纤维。此外,利用活性炭纤维转化法制备碳化硅纤维主要由碳化硅微晶构成,氧含量 仅占 5.9%。由于氧含量的大大降低,纤维的抗拉强度变大,能达到 1000MPa 以上。
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