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碳化硅行业报告:SiC引领行业变革(81页)

行业报告下载 2022年11月08日 09:01 管理员

半导体材料根据时间先后可以分为三代。第一代为锗、硅等普通单质材料,其 特点为开关便捷,一般多用于集成电路。第二代为砷化镓、磷化铟等化合物半导体, 主要用于发光及通讯材料。第三代半导体主要包括碳化硅、氮化镓等化合物半导体 和金刚石等特殊单质。凭借优秀的物理化学性质,碳化硅材料在功率、射频器件领 域逐渐开启应用。 第三代半导体耐压性较好,是大功率器件的理想材料。第三代半导体主要是碳 化硅和氮化镓材料, SiC 的禁带宽度为 3.2eV,GaN 的禁带宽度为 3.4eV,远超 过 Si 的禁带宽度 1.12eV。由于第三代半导体普遍带隙较宽,因此耐压、耐热性较 好,常用于大功率器件。其中碳化硅已逐渐走入大规模运用,在功率器件领域,碳 化硅二极管、MOSFET 已经开始商业化应用。基于上述特性,以碳化硅为衬底制成的功率器件相比硅基功率器件在性能方 面更加具有优势:(1)更强的高压特性。碳化硅的击穿电场强度是硅的 10 余倍, 使得碳化硅器件耐高压特性显著高于同等硅器件。(2)更好的高温特性。碳化硅相较硅拥有更高的热导率,使得器件散热更容易,极限工作温度更高。耐高温特性可 以带来功率密度的显著提升,同时降低对散热系统的要求,使终端可以更加轻量和 小型化。(3)更低的能量损耗。碳化硅具有 2 倍于硅的饱和电子漂移速率,使得 碳化硅器件具有极低的导通电阻,导通损耗低;碳化硅具有 3 倍于硅的禁带宽度, 使得碳化硅器件泄漏电流比硅器件大幅减少,从而降低功率损耗;

碳化硅器件在关 断过程中不存在电流拖尾现象,开关损耗低,大幅提高实际应用的开关频率。 根据ROHM的数据,相同规格的碳化硅基MOSFET导通电阻是硅基MOSFET 的 1/200,尺寸是是硅基 MOSFET 的 1/10。对于相同规格的逆变器来说,使用碳 化硅基 MOSFET 相比于使用硅基 IGBT 系统总能量损失小于 1/4。碳化硅优良的频率、散热特性,使得其在射频器件上也得到广泛应用。碳化硅、 氮化镓材料的饱和电子漂移速率分别是硅的 2.0、2.5 倍,因此碳化硅、氮化镓器 件的工作频率大于传统的硅器件。然而,氮化镓材料存在耐热性能较差的缺点,而 碳化硅的耐热性和导热性都较好,可以弥补氮化镓器件耐热性较差的缺点,因此业 界采取半绝缘型碳化硅做衬底,在衬底上生长氮化镓外延层后制造射频器件。按照电学性能的不同,碳化硅衬底可分为半绝缘型碳化硅衬底和导电型碳化 硅衬底两类,这两类衬底经外延生长后分明用于制造功率器件、射频器件等分立器 件。其中,半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件、光电器件等。通 过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层,制得碳化硅基氮化镓外延片,可进 一步制成 HEMT 等氮化镓射频器件。导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。 与传统硅功率器件制作工艺不同,碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上, 需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片,并在外延层上制造肖特 基二极管、MOSFET、IGBT 等功率器件。

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