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2024-03-05 22 电子行业报告
III-V族半导体材料:III-V族半导体材料是化学元素周期表中的IIIA族元素硼、 铝、镓、铟、铊 和VA族元素氮、磷、砷、锑、铋组成的化合物。代表半导体材料为:砷化镓 GaAs、磷化铟 InP。 磷化铟衬底:Indium Phosphide,磷和铟的化合物,其具有 饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转 换效率高、禁带宽度高等诸多优点,被广泛应用于光通 信、光电器件、高频毫米波器件、光电集成电路集成激光 器、光探测器等领域。 砷化镓衬底:Gallium Arsenide,砷和镓的化合物。。砷化 镓的禁带宽度大于硅,可以耐受更高电压;砷化镓的电子 迁移率更是硅的6-7倍,因此高频性能十分优异。故在制作 射频微波器件方面得到重要应用。VGF法是目前制备化合物半导体的主流且最为高效的方法之一。合成衬底质量好, 且满足主流应用尺寸:2-6英寸需求。2020 年 磷 化 铟 衬 底 市 场 呈 现 出 多 寡 头 垄 断 , 主要集中在 Sumnitomo、北京美通及日本JX公司,其他公司市场占比只有 9%。 根据USGS数据,2020-2021年中国全年铟产量分别为540 吨和530 吨,占全球总产量的56.3%和57.6%。从原材料供应端为中国磷化 铟市场的扩张提供保障。 受益于下游市场需求的增加,磷化铟衬底材料市场规模将持续扩大。
根据 Yole 预测,2026 年全球磷化铟衬底(折合二英寸)预计 销量为128.19 万片,2019-2026年复合增长率为 14.40%;2026年 全球磷化铟衬底市场规模为2.02亿美元,2019-2026年复合增长率 为 12.42%。作为高速和远程光收发器不可或缺的基石,InP激光二极管是电信和数据通信公司光子应用的最佳选择。 应用下游器件包括光模块器件、传感器件、射频器件,对应下游终端领域包括5G通信、数据中心、人工 智能、无人驾驶、可穿戴设备等领域。2019 年我国已经建成超过 13 万个 5G 基站,未来三年迎来建站高峰。根据工信部数据,截至 2019 年 6 月国内 4G基站 445 万 个;综合 5G 频谱及相应覆盖增强方案,中信证券测算未来十年国内 5G 宏基站约 4G的 1-1.2 倍,合计约 500-600 万。 预测InP光模块市场到2026年将有两倍提升。在市场需求的带动及中国政府新基建等政策的影响下,全球光模块市场将保持 快速增长态势。根据Yole统计显示,到2026年全球光模块器件磷化铟衬底(折合两英寸)预计销量将超过100万片,2019年- 2026年复合增长率达13.94%,2026年全球光模块器件磷化铟衬底预计市场规模将达到1.57亿美元,2019-2026 年复合增长率 达13.94%。
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