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2024-03-07 11 人工智能AI行业报告
存储按照易失性分类: 分别为ROM(只读存储器)是Read Only Memory的缩写,RAM(随机存取存储器)是Random Access Memory的缩写。 ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。 RAM(随机存取存储器)作为内存架构广泛应用于计算机中:是与中央处理器直接交换数据的内部存储器。可以随时读写且速度很快,通常 作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时资料存储介质。RAM可分为静态SRAM与动态DRAM,SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储 设备了,但是价格昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲;DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM 慢,不过比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜,因此计算机内存大部分为DRAM架构; ROM(只读存储器)作为硬盘介质广泛使用: Flash内存的存储特性相当于硬盘,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备了电子可擦除可编程 的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据,近年来Flash已经全面替代传统ROM在嵌入式系统的定位,目前Flash主要有两种 NOR Flash和NAND Flash。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因此被广泛应用在各种存储 卡,U盘,SSD,eMMC等等大容量设备中;NOR-Flash则由于特点是芯片内执行,因此应用于众多消费电子领域。
算力发展速度远超存储,存储带宽限制计算系统的速度: 在过去二十年,处理器性能以每年大约55%的速度提升,内存性能的提升速度 每年只有10%左右。因此,目前的存储速度严重滞后于处理器的计算速度。能耗方面,从处理单元外的存储器提取所需的时间往往是运 算时间的成百上千倍,因此能效非常低;“存储墙”成为加速学习时代下的一代挑战,原因是数据在计算单元和存储单元的频繁移动。 存储墙、带宽墙和功耗墙成为首要限制关键: 在传统计算机架构中,存储与计算分离,存储单元服务于计算单元,因此会考虑两者优先 级;如今由于海量数据和AI加速时代来临,不得不考虑以最佳的配合方式为数据采集、传输、处理服务,然而存储墙、带宽墙和功耗墙 成为首要挑战,虽然多核并行加速技术也能提升算力,但在后摩尔时代,存储带宽制约了计算系统的有效带宽,芯片算力增长步履维艰。 存算一体有望打破冯诺依曼架构,是后摩时代下的必然选择: 存算一体是在存储器中嵌入计算能力,以新的运算架构进行二维和三维矩 阵乘法/加法运算。存内计算和存内逻辑,即存算一体技术优势在于可直接利用存储器进行数据处理或计算,从而把数据存储与计算融 合在同一个芯片的同一片区之中,可以彻底消除冯诺依曼计算架构瓶颈,特别适用于深度学习神经网络这种大数据量大规模并行的应用 场景。
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