刻蚀工艺研究报告：大马士革＆极高深宽比（32页）

行业报告下载 2023年06月17日 07:54 管理员

随着工艺制程升级，刻蚀机用量也将持续攀升。14nm制程所需刻蚀步骤为65次，7nm制程所需刻蚀步骤高达140次，5nm制程所需刻蚀步骤进一步提升至160次。 NAND闪存进入3D、4D时代，采用缩小单层上线宽和增加堆叠层数的方法来增加集成度，要求刻蚀技术实现更高的深宽比。刻蚀技术需要在氧化硅和氮化硅一对的叠层结构上，加工40:1到60:1的极深孔或极深的沟槽。目前，3D 96层与128层闪存均已进入量产阶段。从 2D NAND过渡到3D NAND，刻蚀设备的投资占比显著提升，从20%提高至50%。集成电路设备包括晶圆制造设备、封装设备和测试设备等，晶圆制造设备的市场规模约占集成电路设备整体市场规模的约80%。晶圆制造设备可以分为刻蚀、薄膜沉积、光刻、检测、离子掺杂等品类，其中刻蚀设备、薄膜沉积、光刻设备设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。

根据Gartner统计，2022年全球刻蚀设备、薄膜沉积和光刻设备分别占晶圆制造设备价值量约22%、22%和17%，2022年全球刻蚀设备共计约230亿美元市场规模。全球市场行业集中度高，技术壁垒显著。全球刻蚀机市场长期一直被泛林半导体、东京电子、应用材料三大巨头占据，2019年合计市场占比约90%，行业集中度高。2019年，细分介质刻蚀机市场中，东京电子处于领先地位，市占率达到52%，国内中微公司市占率也已达到3%。国内刻蚀机市场，国产厂商表现亮眼。泛林半导体依旧在国内刻蚀机市场中保持领先地位，2019年市占率52%；而国产厂商中，中微公司已占据20%市场份额，排名第二，北方华创则占据6%市场份额；中微领军国内介质刻蚀，北方华创则领军国内硅刻蚀。