光刻机国产化研究报告（30页）

行业报告下载 2025年08月24日 07:19 管理员

光刻机——工业皇冠上的明珠。芯片制造流程大致包括晶圆加工、氧化、光刻、刻蚀、薄膜沉积、互连、测试、封装等重要步骤。其中，光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，耗时长、成本高。光刻原理是将高能雷射光穿过光罩（reticle），使光罩上的电路图形透过聚光镜（projection lens），将影像缩小到十六分之一后成像（影像复制）在预涂光阻层的晶圆（wafer）上。光刻机是光刻工艺的核心设备。提升光刻机分辨率路径：更短波长和增大数值孔径。更短波长光源推动光刻机分辨率不断提升。使用 i-line 光源的 ASML 光刻机，最高分辨率可达 220nm。Kr-F（248nm）和 Ar-F（193nm），将分辨率进一步提升至 110nm（Kr-F）和 65nm（Ar-F）。EUV，光刻分辨率达到了 8nm。增大数值孔径可以提升分辨率，浸没式系统突破了 DUV 光刻机 0.93 的数值孔径，将 DUV 分辨率提升到 38nm 以下。全球市场规模超 300 亿美金，ASML 一家独大。根据中商产业研究院估计，光刻机占半导体设备比例约 24%上下，由此预估 2024 全球光刻机市场规模约为 315 亿美元。出货角度，光刻机销量仍以中低端产品为主，KrF、 i-Line 占比分别为 37.9%和 33.6%；其次分别为 ArFi、ArFdry、EUV，占比分别为 15.4%、5.8%及 7.3%。2022 年，ASML、Canon、Nikon 在光刻机市场份额分别为 82.1%、10.2%和 7.7%。

光刻机国产化研究报告（30页）