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2026-06-26 20 电子行业报告
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2026年06月27日 08:57
管理员
TSV 基板凭借其成熟的工艺和先进的半导体制造技术，可实现极小的 I/O 节距与业界领 先的互连密度，是目前高性能互连的主流方案。然而，硅基板固有的介质损耗会导致高 频信号的显著衰减。为改善电学性能，必须在TSV 基板内壁额外沉积绝缘层。这进一步 增加了本就十分复杂的TSV 制造成本，成为其产业化推广的主要壁垒。同时，由于铜的 与硅的CTE之间存在较大的失配，在热循环工况下极易产生热应力，进而引发界面分层、 互连结构失效等可靠性问题。这些技术瓶颈共同制约了TSV基板技术的大规模商业化应 用进程。
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