半导体光刻胶行业报告：国产化初见曙光任重道远（43页）

行业报告下载 2019年03月04日 07:10 管理员

光刻胶主要用于半导体、面板、PCB 的光刻步骤。光刻胶是电子领域微细图形加工关键材料之一，是由感光树脂、增感剂和溶剂等主要成分组成的对光敏感的混合液体。在紫外光、深紫外光、电子束、离子束等光照或辐射下，其溶解度发生变化，经适当溶剂处理，溶去可溶性部分，最终得到所需图像。

光刻胶主要由高分子材料组成，电子领域应用广泛。光刻胶一般由 4 部分组成：溶剂（solvent），树脂型聚合物（resin/polymer），光引发剂（photoactive compound，PAC）,添加剂（Additive）。随着科技的发展，现代电子电路越发向细小化集成化方向发展，随着对线宽的不同要求，光刻胶的配方有所不同，但应用相同，都是用于微细图形的加工，按照不同的下游行业主要分为 PCB 光刻胶、面板光刻胶、半导体光刻胶。

IC 光刻胶：光刻胶顶峰，用于形成集成电路基础器件与连接电路。随着 IC 集成度水平的提高，光刻技术不断向前发展。为了满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求，半导体光刻胶通过不断缩短曝光波长的方式，不断提高极限分辨率。目前，世界芯片工艺水平已跨入微纳米级别，光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至 g 线（436nm）、i 线（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及最先进的 EUV(<13.5nm)线水平。其中，g 线和 i 线光刻胶的市场份额最大。随着未来功率半导体、传感器、LED 市场的持续扩大，i 线光刻胶市场将持续增长，而精细化需求的增加将推动 KrF 光刻胶的增长并逐渐替代 i 线光刻胶。ArF 光刻胶对应的 IC 制程节点最为先进，且随着双/多重曝光技术的使用，ArF 光刻胶的市场将快速成长。目前，KrF 和 ArF 光刻胶的核心技术基本被日本和美国企业所垄断。