手机产业链研究报告：芯片、储存、系统、摄像、指纹识别、耳机（112页）

行业报告下载 2019年08月28日 07:53 管理员

国产替代历史性机遇开启，今年正式从主题概念到业绩兑现。逆势方显优质公司本色，为什么在 19H1 行业下行周期中 A 股半导体公司迭超预期，优质标的国产替代、结构改善逐步兑现至报表是核心原因。中国半导体供应链长期市值空间探讨：东方半导体产业链生态重塑，与以往不同，建立完整、独立自主核心技术的半导体工业体系是大势所趋，半导体大国、强国崛起之路，独立自主的核心技术才是王道，科技红利之有效研发投入，才是建立独立自主核心技术体系的唯一手段。根据 Wind 数据显示，中国半导体进口额占全球半导体销售额 65%，巨大国内市场内需、终端厂商能力、摩尔定律放缓推动国内公司进入良性快速发展，随着科技红利的迭加，市场份额的切入，相比海外巨头 500 亿美金、千亿美金市值，中国公司第一步在市场纵深领域出现一批千亿级别公司是大概率事件。

海思国产链传导受益路径分析：  代工订单：海思加大自研力度，追单台积电先进制程，同时传统制程向中芯国际大量转移，从而台积电、中芯国际产能利用率提升受益；  封测订单：第一重受益海思自研产品提升（总盘子提升），第二重受益封测订单由安靠等海外厂商向国内代工龙头长电科技、华天科技等厂商转移，从而长电科技、华天科技、通富微电等封测厂商产能利用率提升；  配套设备&材料：国内供应链占比提升后，国内封测厂追加产能，CAPEX 提升，从而配套设备供应商及材料供应商或将从中受益。 1.4 半导体之存储：5G 大幅催生数据存储需求。我们持续强调第四波硅含量提升周期的三大核心创新驱动是 5G 支持下的 AI、物联网、智能驾驶，从人产生数据到接入设备自动产生数据，数据呈指数级别增长。智能驾驶智能安防对数据样本进行训练推断、物联网对感应数据进行处理等大幅催生内存性能与存储需求，数据为王。所有数据都需要采集、存储、计算、传输，存储器比重有望持续提升。同时传感器、微处理器（MCU/AP）、通信（RF、光通讯）环节也将直接受益。我们强调，第四次波硅含量提升周期，存储器芯片是推动半导体集成电路芯片行业上行的主要抓手，密切关注大陆由特殊、利基型存储器向先进存储有效积累、快速发展进程。存储器占半导体市场规模增量 70%以上。从全球集成电路市场结构来看，全球半导体贸易统计组织预计 2018 年全球集成电路市场规模达 4015.81 亿美元，相较于本轮景气周期起点 2016 年增长了 1249 亿美元。而存储器 18 年市场规模达 1651.10 亿美元，相较 2016 年增长了 883 亿美元，占增量比重达 71%，是本轮景气周期的主要推手。

我们认为利基型产品先于主流存储产品见底，其中 2D SLC NAND 率先见底，整体顺序： 2D SLC NAND Flash→3D NAND Flash→NOR Flash→DRAM。我们认为当前日韩贸易争端发展趋势将直接决定 2019 年 DRAM 能否提前见底甚至反转，目前三星+海力士在全球 DRAM/NAND Flash 领域占据绝对领先份额，在核心材料出口受限下的风险敞口分别对应约 64.7%/45.8%。我们认为一旦发生实质性减产，则 DRAM与NAND将在短期内结束下行周期，大概率迎来景气反转及短期价格大幅反弹。如果不考虑日韩贸易争端或者后续迅速缓和，我们认为在当前 DRAM 资本开支锐减、同时下游需求随着数据中心增速恢复、5G 换机周期开启带动下，有望于 19Q4-20Q1 见底。东芝停电加速库存出清，利基型产品率先反弹。NAND Flash 在经历短期大幅跌价、去库存后，价格在 19Q2 进入底部区间，同时除 Intel 外，东芝、三星、美光、海力士均有不同程度减产，下游库存水位率先见底。东芝在 6 月中旬的停电事件更是加速 SLC NAND 库存出清，东芝停电工厂为 Yokkaichi 市 Y2-Y6，但由于恢复供电时间不同、对 FAB 厂影响程度不一。