LED行业报告：LED超高清盛宴（23页）

行业报告下载 2019年12月16日 06:48 管理员

上游 LED 芯片端，台湾晶电在 MiniLED 芯片技术上略有领先，目前已给苹果供产品试样。而大陆芯片厂商三安光电、华灿光电、乾照光电在 Mini RGB 芯片、背光应用的 Mini 蓝光芯片，纷纷推出较为成熟的产品，并进行了批量生产。2、中游 LED 封装端：国星光电在 Mini LED/Micro LED 技术上储备较好，瑞丰光电在 Mini LED 背光显示模组、柔性曲面 Mini LED 封装显示技术上取得不错进展。 3、在 LCD 屏制造方面：2019 美国 SID 展上，全球首款主动式有源矩阵驱动的 65 吋 RGB AM-Mini LED 背光 TV 惊艳全场，其核心背光方案采用新一代的 RGB AM-Mini LED 背光，由国星 RGB 事业部、TCL 工业研究院、TCL 电子共同开发。同时京东方、天马等面板厂也在积极推进 Mini LED 技术。 4、LED 显示屏企如洲明科技、利亚德、雷曼光电、奥拓电子、联建光电、易事达等均已推出 Mini LED 显示屏产品。其中洲明科技已实现 4K 162 寸 Mini LED 产品的批量化生产，雷曼光电量产了基于 100um 芯片规格 4K/8K 超高清显示产品。

Micro LED Display（微发光二极体显示器）是被产业链共识将成为下一代的显示技术的核心方案。其核心定义：LED 芯片尺寸小于 50um。通过薄膜化、微小化与阵列化 LED 结构设计，其体积将大幅缩小到当前 LED 体积的 1%。同时 Micro LED 驱动阵列，因此其显示像素间距可以由毫米级缩小到微米级。Micro LED 优势突出，包括低功耗、可异性化、高亮度、超高解析度与色彩饱和度、反应速度快、超省电、寿命较长、效率较高等，其功率消耗量约为 LCD 的 10%、OLED 的 50%。而与同样是自发光显示的 OLED 相较之下，亮度比其高 30 倍，且解析度可达 1500 PPI（像素密度）甚至更高，同时 Micro LED 具有较佳的材料稳定性、无影像残影、可异形化小型化。

Micro LED 芯片技术倒装难度较高：在传统 LED 领域，倒装芯片的成本和良率一直是业内难题，而如果要到 50um 以下的 MicroLED 倒装，同时要面对巨量转移之后的倒装，并要批量固晶，其工艺控制难度就更高。 LED 芯片巨量转移难点：由于小于 50um 的芯片尺寸，其指甲盖大小的面积对应芯片包含百万颗，且其良率要求控制在 10ppm 左右，且每颗芯片精准度控制在正负 0.5 μm 以内，则原本机械臂 1 颗颗转移效率太低。因此目前主要技术方向有“静电力”、“凡德瓦力”和“磁力”、“选择性释放”（Selective Release）、 “自组装” (Self-Assembly)及“转印”（Roll Printing）等转移方式。全彩化技术路线难点：目前 Micro-LED 彩色化实现的方法主要是 RGB 三色 LED 法、UV/蓝光 LED+发光介质法(量子点膜技术)和光学透镜合成法，但目前各类技术各有有缺点，例如波长一致性问题、成本问题等。电流拥挤、热堆积等问题：Micro-LED(<50 微米(μm)) 可能因表面缺陷多而有较大的漏电路径、焊点及自身尺寸较小导致散热较差等，都会影响发光效率。