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2025-03-28 16 化工行业报告
化学气相沉积(CVD)过程中的电子气体用来生成沉积薄膜;CVD 是利用真空状态下,多种气体混合并发生化学 反应最终将反应物沉积成膜的过程。不同的沉积薄膜需要不同的电子气体,在 SiO2 的沉积中,会使用到硅烷,原硅 酸四乙酯(TEOS)等等气体。在氮化物沉积层中,使用氨气(NH3),硅烷,SiCl2H2,在钨沉积中使用 WF6,硅烷, 而 TiN 薄膜制备中需要 TiCl4 和氨气等等 化学气相沉淀的反应物大部分都是以气体形态存在。比如在二氧化硅介质(SiO2)和氮化硅(Si3N4)介质的生 成过程中,常用的是 CVD 方法生成该层薄膜,辅助气体分别是高纯氧气,一氧化二氮,和氨气。在反应的过程中, 将反应气体按照特定比例混合在一起,然后通到反应腔中,再往反应腔通入辅助气体,在特定压力和温度下,会发生 化学反应,SiH4+O2->SiO2+2H2 生成 SiO2,3SiH2Cl2+4NH3->Si3N4+6HCl+6H2 生成 Si3N4。然后生成的目标介质沉 积到下面的晶圆上,形成介质膜。由于晶圆制造过程中所涉及到的沉积薄膜种类较多,每层要求不同,所以 CVD 需 要的电子气体种类是最多的。
离子注入气体是在作为参杂气体注入到晶圆表面。集成电路的最微观结构是由 PN 结构成的,分别为 P 型区和 N 型区。而形成 P 型区和 N 型区的主要制造步骤就是离子注入。在 P 型区,主要离子注入元素为硼(B),铟(In)。气 体主要为三氟化硼(BF3),乙硼烷(B2H6),磷化铟(InP)等等。在 N 型区,主要离子注入元素为砷(As),磷(P) 等等。气体主要为砷化氢(AsH3),磷化氢(PH3)等等。 离子注入的方法是在真空中,将气体电离并加速,然后通过较大动能,直接进入到硅半导体中。但是由于这样的 轰击是纯粹的物理撞击,所以很容易引起硅晶格产生缺陷。为了解决硅晶格缺陷问题,往往在离子注入过后进行,退 火过程,来修复缺陷。在退火过程中,也需要惰性气体进行保护。部分离子注入气体具有很强的毒性,比如 AsH3 等 气体,所以在制造和使用过程中具有很强的壁垒。
外延沉积气体是在硅晶圆表面生成外延层;外延层生长一般具有以下几种特性,低(高)阻衬底上外延生长高(低) 阻外延层,P(N)型衬底上外延生长 N(P)型外延层,与掩膜技术结合,在指定的区域进行选择外延生长,外延生 长过程中根据需要改变掺杂的种类及浓度。正是由于这些优点的存在,所以在一些制程中使用外延层来代替原有硅衬 底。起到提高芯片性能的目的。在化合物半导体中,用外延层技术生长如 GaAs 等异质结构层。 与 CVD 类似,外延沉积也是通过多种气体化学反应的方式,将反应生成物沉积到晶圆表面的过程。由于硅外延 层一般沉积硅原子层,所以所用到的气体种类与 CVD 相比会相对较少。常常用到四氯化硅(SiCl4),二氯二氢硅 (SiH2Cl2),三氯氢硅(SiHCl3)作为硅源发生化学反应后生成硅,最后沉积到晶圆表面。新生成的外延层硅与晶圆 衬底硅,虽然元素相同,但是在电阻率,参杂浓度等方面,外延层是可控的,所以在一些制程中,要使用外延层作为 芯片制造区域。在 GaN,GaAs 和 SiC 等化合物半导体中,会沉积 GaN,GaAs 和 SiC 薄膜层。会使用 TMGa,NH3, AsH4,CH3SiCl3,H2 等气体作为外延沉积气体。
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