半导体材料行业报告：硅片，化学机械抛光耗材，光刻胶，靶材，特气，化学品（106页）

行业报告下载 2020年08月07日 07:07 管理员

其工作原理是在一定压力及抛光液的存在下，被抛光的晶圆片与抛光垫做相对运动，借助纳米磨料的机械研磨作用与各类化学试剂的化学作用之间的有机结合，使被抛光的晶圆表面达到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。根据不同工艺制程和技术节点的要求，每一片晶圆在生产过程中都会经历几道甚至几十道的CMP抛光工艺步骤。更先进的逻辑芯片工艺会要求抛光新的材料，为抛光材料带来了更多的增长机会。即使是同一技术节点，不同客户的技术水平和工艺特点不同，对抛光材料的需求也不同。抛光液的全球产业格局主要分布在国外，国内缺乏世界级的龙头企业。抛光液28nnm及以上产品市场主要被日本的Fujimi、Himonoto Kenmazai公司，美国的Cabot、杜邦、Rodel、Eka，韩国的ACE等公司所垄断，占据全球高端市场份额90%以上，其中Cabot多年占据市场份额首位。根据Semi数据，国内产业中Cabot占领约64%的市场份额，国内CMP龙头安集科技占领22%，其余为中小厂商。抛光垫的全球市场格局主要被Dow、Cabot、Thomas West等外资厂商垄断。前5大厂商占据全球市场约90%，其中Dow占领79%的全球份额。在国内，Dow垄断中国近90%的CMP抛光垫市场供给，是国产替代的主要对象。国内较知名的抛光垫厂商为鼎龙股份。

光刻胶是一种对光敏感的混合液体，是微电子技术中微细图形加工的关键材料。它由光引发剂（光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、溶材料剂、单体（活性稀释剂）和其他助剂组成。光刻胶是光刻工艺的核心材料。在光刻工艺中，光刻胶被涂抹在衬底上，光照或辐射通过掩膜板照射到衬底后，光刻胶在显影溶液中的溶解度便发生变化，经溶液溶解可溶部分后，光刻胶层形成与掩膜版上完全相同的图形，再通过刻蚀在衬底上完成图形转移。根据下游应用的不同，衬底可以为印刷电路板、面板面板和集成电路板。据智研咨询，光刻工艺的成本约占整个芯片制造工艺的35%，耗时占整个芯片工艺的40%到60%，是半导体制造中的核心工艺。光刻胶材料约占芯片制造材料总成本的4%，是半导体集成电路制造的核心材料。中国光刻胶市场本土供应量增速高于全球平均水平，发展空间巨大。据智研咨询统计，2019年全球光刻胶市场规模预计近90亿美元，自 2010年至2019年CAGR约5.4%，预计至2022年全球光刻胶市场规模将超过100亿美元。2019年我国光刻胶市场本土供应量约70亿元，自2011 年至2019年CAGR达到11%，远高于全球平均5%的增速，但中国光刻胶本土产量仅占全球规模的10%左右，发展空间巨大。光刻胶国产化率不断提升，2018年达到58%。据智研咨询数据，中国本土光刻胶产量从2011年的2.25万吨增长到2018年的4.88万吨，光刻胶需求量从2011年的3.51万吨增长到2018年的8.44万吨，近几年中国本土光刻胶产量保持高速增长，国产化率不断提升，2018年国产化率达到58%。