首页 行业报告下载文章正文

半导体行业DRAM行业报告:存储芯片研究框架(71页)

行业报告下载 2021年05月11日 07:47 3 管理员

DRAM主要可以分为DDR(Double Data Rate)系列、LPDDR(Low Power Double  Data Rate)系列和GDDR(Graphics Double Data Rate)系列、HBM系列。  DDR是内存模块中使输出增加一倍的技术,是目前主流的内存技术。  LPDDR具有低功耗的特性,主要应用于便携设备。  GDDR一般会匹配使用高性能显卡共同使用,适用于具有高带宽图形计算的领域。 云计算、大数据的兴起,服务器的数据容量和处理速度在不断提高,推动了DDR技术的升级 迭代,目前市场上主流技术规范为DDR4和LPDDR4,DDR5技术即将进入商用领域。第一代SDR SDRAM (single data rate synchronous DRAM):单速率同步动态随机存储器。采用单端 (Single-Ended)时钟信号。  

第二代DDR SDRAM (double data rate synchronous DRAM) :双倍速率同步动态随机存储器。DDR 的标称和SDRAM一样采用频率。截至2017年,DDR运行频率主要有100MHz、133MHz、166MHz三 种,由于DDR内存具有双倍速率传输数据的特性,因此在DDR内存的标识上采用了工作频率×2的方法, 也就是DDR200、DDR266、DDR333和DDR400,一些内存厂商为了迎合发烧友的需求,推出了更高 频率的DDR内存。其最重要的改变是在界面数据传输上,在时钟信号的上升沿与下降沿均可进行数据处 理,使数据传输率为SDR SDRAM 的2倍。寻址与控制信号则与SDRAM相同,仅在时钟上升沿传送。DDR2为双信道两次同步动态随机存取内存。DDR2内存是Prefetch带宽提升至4bit,是DDR的两倍,并且 能以内部控制总线4倍的速度运行。 

在同样133MHz的核心频率下,DDR的实际工作频率为133MHzX2=266MHz,而DDR2可以达到 133MHzX4=533MHz。DDR2采用FBGA封装方式替代传统的TSOP方式,电气性能与散热性更佳。 DDR3为双信道三次同步动态随机存取内存。DDR3内存Prefetch宽度从4bit提升至8bit,核心同频率下数据 传输量是DDR2的两倍,DDR3传输速率介于 800~1600 MT/s之间。

半导体行业DRAM行业报告:存储芯片研究框架(71页)

文件下载
资源名称:半导体行业DRAM行业报告:存储芯片研究框架(71页)


标签: 3C电子|微纳电子|家电

并购家 站点地图   关于我们   意见反馈   免责声明 京ICP备12009579号-9