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第三代化合物半导体行业报告:GaN氮化镓产业链(42页)

行业报告下载 2021年06月22日 06:34 1 管理员

射频器件材料主要有三种:GaAs ,基于 Si 的 LDMOS以及GaN 。GaAs器件的缺点是器件功率较低,低于 50W;LDMOS 器件的缺点是工作频率存在极限,最高有效频率在3GHz以下;GaN弥补了GaAs和Si基LDMOS两种 老式技术之间的缺陷,在体现 GaAs 高频性能的同时,结合了Si基LDMOS的功率处理能力。 随着GaN材料工艺的成熟和成本的下降,GaN在射频市场的渗透率将提升,预计到2025年将达到50%左右。GaN功率器件在中低压领域优势较为明显:由于SiC衬 底价格比较昂贵,目前大多数GaN功率器件均采用Si衬 底;采用GaN-on-Si的功率器件工作电压在1000V以下, 成本在1美金左右。

因此,GaN功率器件在低压领域 (0-900V)首先商用,替代传统的硅基功率器件。潜在市场规模约300亿美元:按照工作电压 来分类,全球功率器件的68%左右应用在0- 900V的低压领域;以2021年442亿美元的功率 器件市场来看,GaN功率器件的潜在市场规模 约300亿美元。硅基氮化镓外延片技术壁垒高:生产是系统性工 程,原材料配方设计、制造工艺技术、配套设备工 艺设计、自主研发能力、资本实力、产业链资源等 各方面的能力储备缺一不可。行星式反应炉的控制难以在短期内掌握:生 产过程当中,需要:使晶圆片受热均匀、控 制好掺杂浓度要控制好、控制晶圆上下面的 温差、控制衬底边缘的晶圆翘曲度。

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资源名称:第三代化合物半导体行业报告:GaN氮化镓产业链(42页)


标签: 3C电子|微纳电子|家电

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