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中国功率半导体和第三代半导体发展现状和前景分析报告(33页)

行业报告下载 2023年12月22日 08:02 管理员

MOSFET和IGBT为功率半导体产品主力产品。MOSFET具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单和辐射强等优点,通常被用于放大电路或 开关电路。IGBT由BJT和MOSFET组合而成且兼具两者优点,即高输入阻抗、低导通压降、驱动功率小而饱和压降低等。自20世纪80年代发展至今,IGBT共计经历了7代技术及工艺的升级。从平面穿通型(PT)始,发展至目前最新的微沟槽场截止型(Micro-Pattern Trench) 技术,IGBT在芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降及关断时间等各项指标方面不断进行优化。我国IGBT需求结构与全球市场不同,新能源汽车、消费电子和工控是IGBT需求占比最大的下游领域,市占率分别为31%、27%和20%。我国IGBT在新能源汽车、新能源发电等领域应用占比远超全球平均水平,受益于国家“双碳”战略,行业需求旺盛,下游IGBT用量大幅增加,成为国 内IGBT需求增长的主要驱动力。IGBT等功率器件是新能源发电逆变器实现逆变功能的核心,主要应用在DC/DC升压、DC/AC逆变电路中,在中国能源发电市场加速转型的背景下, 光伏发展大有可为。这也是IGBT市场强劲的驱动力,增速将持续远超全球平均水平。

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