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​氮化镓GaN行业报告:5G、快充、UVC,第三代半导体(34页)

行业报告下载 2020-03-19 39 管理员

宽禁带半导体是高温、高频、抗辐射及大功率器件的适合材料。与第一代和第二代半导体材料相比,第三 代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射 能力,更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看,较为成熟 的第三代半导体材料是 SiC 和 GaN,而 ZnO、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。

氮化镓(GaN)是极其稳定的化合物,又是坚硬和高熔点材料,熔点为 1700℃。GaN 具有高的电离度,在 三五族化合物中是最高的(0.5 或 0.43)。在大气压下,GaN 晶体一般是六方纤锌矿结构,因为其硬度大,所以 它又是一种良好的涂层保护材料。GaN 具有出色的击穿能力、更高的电子密度和电子速度以及更高的工作温度。 GaN 的能隙很宽,为 3.4eV,且具有低导通损耗、高电流密度等优势。GaN 是一种 III/V 直接带隙半导体,通常用于微波射频、电力电子和光电子三大领域。具体而言,微波射频 方向包含了 5G 通信、雷达预警、卫星通讯等应用;电力电子方向包括了智能电网、高速轨道交通、新能源汽 车、消费电子等应用;光电子方向包括了 LED、激光器、光电探测器等应用。

自 20 年前出现首批商业产品以来,GaN 已成为射频功率应用中 LDMOS 和 GaAs 的重要竞争对手,其性能 和可靠性不断提高且成本不断降低。第一批 GaN-on-SiC 和 GaN-on-Si 器件几乎同时出现,但 GaN-on-SiC 技术 更加成熟。目前在射频 GaN 市场上占主导地位的 GaN-on-SiC 突破了 4G LTE 无线基础设施市场,并有望在 5G 的 Sub-6GHz 实施方案的 RRH(Remote Radio Head)中进行部署。 在常用半导体工艺中,CMOS 低功耗、高集成度、低成本等优势显著。SiGe 工艺兼容性优势突出,几乎能 与硅半导体超大规模集成电路行业中的所有新工艺技术兼容。GaAs 在高功率传输领域具有优异的物理性能。 GaN 在高温、高频、大功率射频组件应用独具优势。基于功耗和成本等因素,消费终端产品明显更多采用 CMOS 技术;CPE 采用 CMOS 和 SiGe BiCMOS;低功耗接入点则采用 CMOS、SiGe BiCMOS 和 GaAs;而高功率基站 领域则是 GaAs 和 GaN 的天下。

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标签: 新材料|有色金属|矿产|贵金属|钢铁|煤 3C电子|微纳电子|家电

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