射频前端行业报告：5G射频前端（42页）

随着通信网络频段的扩充和向高频段发展的趋势，射频前端模块也在随着网络 的升级而变化，进入 2020 年以后 5G 将带动超高带宽模组和毫米波模组逐渐会成 为主流，同时 LB 领域将逐步进行 Band Refarming。射频芯片发展路径基本遵循模拟 IC 的发展路径，追求性能提升的同时不断降 低成本，但不同之处在于受信号频率不断的升级，器件材料和工艺平台也在不断变 化。射频芯片相关的材料工艺包括 RF CMOS、SOI、砷化镓、锗硅以及压电材料等， 以及 5G 时代出现的新材料工艺 GaN、MEMS 等，行业中的各厂商需在不同应用背 景下，寻求材料、器件和工艺的最佳组合，以提高射频前端芯片产品的性能和成本 竞争力。

GaAs 和 GaN 等化合物和宽禁带半导体材料将得到大规模应用。新一代 半导体材料具有更大的禁带宽度，更高的载流子速率，更好的导热效率等 特点，适用于高频高压领域，随着 5G 通信的波长更短，甚至到毫米波级 别，传统的硅基 PA 难以满足要求，GaAs/GaN 基射频器件市场份额将显 著提升。在射频领域，采用集成模组还是采用分立器件的形式，全球主要手机厂商均有 自己的路线。如三星、苹果等手机厂商倾向于采取集成的方式将射频前端的复杂性 留给博通、Skyworks、Qorvo、村田这些射频模组制造商去解决。而国内的华为、 小米、OPPO、VIVO 等厂商都倾向于采用“分立器件”的方式，尽可能降低射频 端成本。5G 被引入智能手机，无疑让已经很复杂的射频前端变得更加复杂。

在 5G 更高频段中，由于所对应天线尺寸的相对缩小，可以把足够多的天线塞 入设备中以保证通信的稳定可靠性，把多根天线进行合成，建立低成本、低损耗的 互联电路，同时对供应链的优化，对架构以及产品、工艺技术的升级都可以有效改 善成本结构。天线的不断增多虽然能够保证 5G 信号的稳定接收，但这也带来了一 个矛盾，持续增加的射频前端数量和 PCB 板可用面积趋紧之间的矛盾，这促使了 射频前端模块化的发展。