首页 行业报告下载文章正文

存储行业研究报告:DRAM、NAND Flash、存储封测与模组(32页)

行业报告下载 2020-08-03 1 管理员

今年服务器和 PC 需求提前至 20H1 释放,而消费电子下半年旺季有望勉力持平。 相关终端需求仅仅是递延,存储行业在下半年仍有望迎来上行周期。我们结合调 研机构数据测算,下半年原厂的营收与获利能力有望维持增长,但增幅或低于疫 情之前的预期。 产品价格趋势:内存将逐季向上,闪存上半年涨势优于下半年。上半年服务器存 储价格持续攀升,我们判断 2Q20 供应链仍将呈现供给缺口,预计 DRAM/NAND ASP 分别环比提升 10%/2%;20H2 旺季效应或小于往年,内存与闪存市场过度供 给率在 20Q3/20Q4 分别达到-1%/-2%及 2%/6%,缺口稍低于此前判断。

2019 年全球存储厂商资本开支下滑 12%,降幅为十年之最。存储行业在 2018 年 陆续释放新建产能,叠加手机需求放缓,剩余产能陆续积累,2019 年存储价格下 跌 3 成以上。厂商基于供求关系纷纷推迟扩产计划,据彭博数据,2019 年全球存 储厂商资本开支增速同比下滑 12%。今年供给端扩张仍然谨慎,预计原厂将维持产能利用率超 9 成水平。在主要厂商 限制产能利用率与暂停扩张之下,存储芯片供需逐渐恢复平衡;与此同时,图像 传感器用量仍持续增长,三星与 SK 海力士将部分成熟制程的 DRAM 产线转换为 CIS 产线,吸收部分 DRAM 产能。我们基于下半年的终端设备需求与存储库存状 况判断,存储厂商可恢复超 9 成以上的产能利用率,剩余的闲置产能也 2021 年的 产能扩张与升级提供缓冲。

2020 年 DRAM 投片量预计同比增长 11%,位元供给增长主要由制程升级驱动。 DRAM 价格自 2019 年底开始企稳,但主要厂商的投片量尚未显著扩张,预计今 年整体 DRAM 投片产能仅个位数增长,行业的资本支出也将持续下降。三大 DRAM 原厂的产能概况及预估如下: 三星:计划将 Line13 DRAM 产能逐步转换至 CIS,而平泽二厂新产能投产及 平泽一厂扩建,整体产能预计在 20 年底提高 3.5 万片/月。由于 1Z 制程的比 重提高,弹性有所提升,全年整体投片量产能预计同比增长 13%。 海力士:计划将 M10 DRAM 产能转至 CIS,同时增加 M14 的产出,以及小 幅提高无锡厂的产能。全年投片量产能预计持平,主要由 1Y 纳米制程比重 提升来增加位元供给。 美光:投片量产能预计全年个位数上涨,公司 2020 年资本支出将着重在 1Z (1α)制程的量产,目前正值 OEM 积极验证阶段,预计下半年将实际量产。

存储行业研究报告:DRAM、NAND Flash、存储封测与模组(32页)

文件下载
资源名称:存储行业研究报告:DRAM、NAND Flash、存储封测与模组(32页)


标签: 3C电子|微纳电子|家电

站点地图   关于我们   意见反馈   免责声明     京ICP备12009579号

分享:

支付宝

微信