功率半导体行业报告：功率器件IGBT（32页）

功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中 电压和频率、直流交流转换等。功率半导体细分为功率器件（分立器件的一支）和功 率 IC（集成电路的一支）。理想情况下，完美的转化器在打开的时候没有任何电压损 失，在开闭转换的时候没有任何的功率损耗，因此功率半导体这个领域的产品和技术 创新，其目标都是为了提高能量转化效率。根据 IHS 统计，2019 年全球功率半导体市场规模约为 400 亿美元，预计 2019-2025 年全球功率半导体 CAGR 4.5%；根据华润微招股说明书，中国是全球最大的功率半导 体消费国，2018 年市场需求规模达到 138 亿美元，增速为 9.5%，占全球需求比例达  35.3%。

功率分立器件的演进路径基本为二极管→晶闸管→MOSFET→IGBT，其中，IGBT 是功率半导体新一代中的典型产品。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双 极型晶体管，是由 BJT(双极型三极管)和 MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的全控-电 压驱动的功率半导体， IGBT 既有 MOSFET 的开关速度快、输入阻抗高、控制功率 小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有 BJT 导通电压低、通态电流大、损耗小 的优点，在高压、大电流、高速等方面是其他功率器件不能比拟的，因而是电力电子 领域较为理想的开关器件，也被誉为“电力电子器件里的 CPU”。

根据 Yole 等相关统计，目前全球功率半导体中约 50%是功率 IC，其余的一半是 功率分立器件；在功率分立器件销售 2017 年占比中，MOSFET 占比最高，约占 31%， 其次是二极管/整流桥占比约 29%，晶闸管和 BJT 等占分立器件约 21%，IGBT 占比 19%，但是其复合增速是所有产品中最快的。国外巨头大多数均采用 IDM 模式，而国内典型公司如斯达半导采用的 Fabless+模 组的模式：Fabless 的模式在中国比较流行的主要原因在于，功率半导体并不是需要特 别高精尖的晶圆厂代工，而单独建产线资本回收期非常长，另外大陆有较多的成熟工 艺代工厂产能足够支配，因此对于国内厂商大多是后进者来说，在快速追赶期 Fabless 也不失为一种比较好的模式。