第三代半导体SIC碳化硅行业报告（32页）

行业报告下载 2020年10月19日 06:02 管理员

SIC MOS 的产品稳定性需要时间验证：根据英飞凌 2020 年功率半导体应用大会上专家披露，目前 SiC MOSFET 真正落地的时间还非常短，在车载领域才刚开始商用（Model 3 中率先使用了 SIC MOS 的功率模块），一些诸如短路耐受时间等技术指标没有提供足够多的验证，SIC MOS 在车载和工控等领域验证自己的稳定性和寿命等指标需要较长时间；根据 Yole 预测，SIC 和 GaN 电力电子器件（注意是 GaN 在电力电子中的应用，不包括在高频射频器件）2023 年在整体功率器件渗透率分别为 3.75%和 1%；驱动因素是新能源汽车新能源发电以及快充。我们认为目前国内外 SIC 产业链日趋成熟，成本持续下降，下游接受度也开始提升，目前整个产业链处于行业爆发的前夜。

SIC 产业链分为三大环节：上游的 SIC 晶片和外延→中间的功率器件的制造（包含经典的 IC 设计→制造→封装三个小环节）→下游工控、新能源车、光伏风电等应用。目前上游的晶片基本被美国 CREE 和 II-VI 等美国厂商垄断；国内方面，SiC 晶片商山东天岳和天科合达已经能供应 2 英寸~6 英寸的单晶衬底，且营收都达到了一定的规模（今年均会超过 2 亿元 RMB）；SiC 外延片：厦门瀚天天成与东莞天域可生产 2 英寸~6 英寸 SiC 外延片。国外 SIC 功率器件玩家：传统的功率器件厂商包括英飞凌、意法半导体、三菱电机、富士电机；借助 SIC 材料介入 SIC 器件的 CREE；国内 SIC 功率器件玩家：泰科天润，中电科 55 所，基本半导体，三安集成，华润微等。

SiC 具有前述所说的各种优势，是高压/高功率/高频的功率器件相对理想的材料, 所以 SiC 功率器件在新能源车、充电桩、新能源发电的光伏风电等这些对效率、节能和损耗等指标比较看重的领域，具有明显的发展前景。高频低压用 Si-IGBT,高频高压用 SiC MOS,电压功率不大但是高频则用 GaN。当低频、高压的情况下用 Si 的 IGBT 是最好，如果稍稍高频但是电压不是很高，功率不是很高的情况下，用 Si 的 MOSFET 是最好。如果既是高频又是高压的情况下，用 SiC 的 MOSFET 最好。电压不需要很大，功率不需要很大，但是频率需要很高，这种情况下用 GaN 效果最佳。