光刻胶行业报告（64页）

行业报告下载 2022年09月06日 08:39 管理员

光刻胶领域里，光刻胶的制造环节处于中游，上游主要依托基础化工原料，生产树脂、光引发剂、溶剂、单体等电子化学品；中游包括PCB 光刻胶、面板光刻胶和半导体光刻胶的制备；下游为印刷电路板、显示面板和电子芯片，广泛应用于消费电子、航空航天、军工等领域。光刻胶生产工艺复杂，技术壁垒高，其研发和量产需要企业的长期技术积累，对企业研发人员的素质、行业经验、技术储备等都具有极高要求，新进入者需要极大的研发投入。其中，光刻胶的研发是不断进行配方调试的过程，配方研发是通过几百个、几千个树脂、光酸和添加剂的排列组合尝试出来，且难以通过现有产品反向解构出其配方，这对技术及经验积累有非常高的要求。原材料比重的微调会直接影响到光刻胶的各个性能指标，比如溶剂的多少会影响粘度；光引发剂的多少会影响光刻胶的灵敏度。同时，光刻胶的国产化替代实际是对标的过程，即产品所以的性能参数都必须和国外供应商的产品完全匹配，某个关键参数的不匹配都可能会使开发必须从头推导重来。

同时，产品纯度、金属离子杂质控制等也是光刻胶生产工艺中需面临的技术难关，光刻胶纯度不足会导致芯片良率下降。而从实验室到稳定量产也是光刻胶行业中的关键壁垒。在工业生产中，光刻胶和树脂等原料所涉及的核心参数，如分子量、分子量分布、金属离子控制等，都必须实现每批次间的稳定一致。此外，高端光刻胶生产的大量专利掌握在海外龙头企业中，这在光刻胶技术上已构建了专利壁垒，阻碍后来者进入。以EUV光刻胶为例，全球专利申请量前十名中日本占据7席，富士胶片以422件排在第一；美国罗门哈斯和陶氏化学占据两席；韩国三星电子占据一席。除项目研发需要持续资金投入外，光刻胶生产还需光刻机进行配套测试，而光刻机造价高昂，且价格持续上升。据ASML年报，其EUV光刻机销售均价从2018年的1.04亿欧元/台增长至2021年的1.50亿欧元/台，这为光刻胶研发和生产带来较大的成本开支。除成本高昂外，受《瓦森纳协定》限制，中国大陆企业较难购买最先进的光刻机。晶瑞电材于2020年以1102.5万美元价格从韩国SK海力士购买了一台二手ArF浸入式光刻机，单台设备占公司高端光刻胶研发项目投资额的比例高达16%，这台设备最高分辨率为28nm。

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