半导体自主可控行业报告（163页）

行业报告下载 2022年12月22日 07:46 管理员

全球景气度下行，半导体资本支出不断下修。台积电在 22Q3 法说会中将 22 全年的资本支出从 400-440 亿美元下降至 360 亿美元。据集微网消息，海力士在 9 月底已向设备商修正 2023 年订单，削减设备投资计划，下修幅度预计 7-8 成；美光也宣布将减少 2023 年的资本支出 30%至 80 亿美元。半导体产业转移大背景下，即使景气度下行，中国大陆依旧逆势扩产，逐步成为全球晶圆扩产中心。根据 SEMI 的数据，21 年底中国大陆的全球晶圆产能占比仅为 16%。21-22 年全球新增晶圆厂预计 29 座，而中国大陆新增 9 座，数量占比达到 30%以上。根据集微网的数据，21 年底中国大陆 12 寸晶圆产能提升空间为 46.8 万片/月，22 年 12 寸晶圆产能提升空间为 52.3 万片/月，新增产能空间持续增加。另外，22 年后中国大陆预计每年新增约 5 座晶圆厂，未来 5 年预计将新增 25 座晶圆厂投入设国产，涵盖逻辑、DRAM、MEMS 等产线，预计 26 年底 12 寸晶圆厂总月产能将超过 276.3 万片。四大内资晶圆厂的工艺水平迅速提升，为国内先进设备和材料的突破提供了良好的土壤。以长存为例，其已经突破 232 层 3D NAND，一期产线主要为 64L 和 128L，预计扩产的二期产线产品将主要为 128L 以上。

长鑫预计二期产线也将向 17nm 迈进。国内内资晶圆厂已经跃过风险试产阶段，战略目标从“爬良率出产品” 向“供应链安全”倾斜。他们的逆势扩产，培养了自主可控的良好土壤，在一定程度上抵消了大环境的低迷，有效带动了国内半导体设备厂商的技术突破和业绩高增，国产替代加速发展。半导体设备和材料是晶圆制造的重要支撑领域，也是美国主要打压环节，与国际巨头相比，仍有较大差距，任重道远。在设备领域，薄膜沉积设备、光刻设备、前道检测设备、涂胶显影设备、离子注入设备、后道测试设备等国产化率均不足 10%，甚至光刻和涂胶显影等领域国产化率仅有 1%左右。在材料领域，硅片、CMP 材料等领域国内公司开始冒头，但在光刻胶、光掩模板、靶材等环节仍然差距较大，尤其是光刻胶领域，国内公司无人实现 A 胶量产。国产替代号角下，本土大厂已经跃过风险试产阶段，战略目标从“爬良率出产品”向“供应链安全”倾斜。半导体设备和材料公司加速发展，国产化率已经实现大幅提升，进入快速发展阶段。就设备而言，中芯国际、长江存储、长鑫存储在内的 6 大产线的总体国产化率从 18 年的平均 10%上升到 21 年的 30%左右。根据中国电子专用设备工业协会的数据，21 年国产半导体设备国产化率达到 20.24%，相较于 18 年增加了约 6 个 pcts。

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