衬底环节是金属材料在半导体器件中的关键环节,所谓衬底即是一种用于制 造半导体器件的材料基底,常见的衬底包括硅、锗、碳化硅等。在生产半导体芯 片的工艺流...
2024-03-05 33 新材料及矿产报告
HJT 降本为规模扩产关键,银浆降本为重要手段。2021 年以来电池技术路线由 PERC 向更高效率的 HJT、TOPCon 等 N 型技术转变,其中 TOPCon 的扩产规模高于 HJT,我们预计 2022 年 TOPCon 新增扩产超 130GW、HJT 约 30GW,主要系 HJT 的总 成本仍偏高,根据我们的测算,2022 年底硅料 240 元/KG、M6 硅片 4.5 元/片时,TOPCon 总成本约为 0.85 元/W、HJT 总成本约为 0.91 元/W。降本成为 HJT 规模扩产的关键,而 银浆成本在 HJT 总成本中占比最高,根据我们的测算,银浆成本占总成本比重约 11%, 因此降低银浆成本、少银&去银化极为关键。电镀铜技术更适用于 HJT,为 HJT 独有的降本项: (1)PERC:无需使用电镀铜,因单面用银、银浆耗量少,电镀铜带来的非硅成本 下降极为有限。 (2)XBC:PN 结和电极均处于电池背面,不需要考虑遮光损失,栅线图形也不需 要特别精细,但 XBC 工艺复杂,需要多次掩膜和刻蚀,电镀铜进一步增加其复杂程度。
TOPCon:①电镀铜要求低温工艺,与 TOPCon 高温工艺不适配,高温下铜容 易氧化失效;②TOPCon 电极直接与硅片接触,缺少 TCO 薄膜阻挡,铜易扩散到硅中, 带来可靠性问题,但可以通过激光在非导电层上开槽再镀镍、烧结后进行电镀铜,镍层 能够提供部分阻挡;③TOPCon 设备和工艺成本低,电镀铜带来的非硅成本降低有限。 (4)HJT:①低温工艺符合电镀铜工艺要求;②HJT 电极与 TCO 薄膜接触,不与 硅片直接接触,能够避免铜污染硅片内部;③HJT 双面用银且低温银浆耗量更大、价格 更高,因此 HJT 银浆降本需求更迫切,故电镀铜降低 HJT 非硅成本效果最明显,更适 用于 HJT 技术——根据我们的测算,假设电镀铜量产后带来 0.5%提效、电镀液等耗材 成本 0.03 元/W、电镀设备价值量 1 亿元/GW,则 PERC/TOPCon/HJT 三种技术路线应 用电镀铜后带来的非硅成本降低幅度分别为 2%/12%/21%。
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