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2025-04-17 12 电子行业报告
半导体前驱体是半导体薄膜沉积工艺的核心制造材料,高壁垒高增长,应用于半导体生产制造工艺携有目 标元素,气态或易挥发液态,具备化学热稳定性,同时具备相应的反应活性或物理性能的一类物质。在包括 薄膜、光刻、互连、掺杂技术等的半导体制造过程中,前驱体主要应用于气相沉积(包括物理沉积 PVD、化 学气相沉积 CVD 及原子气相沉积 ALD),以形成符合半导体制造要求的各类薄膜层。此外,前驱体也可用于 半导体外延生长、蚀刻、离子注入掺杂以及清洗等,是半导体制造的核心材料之一。 根据 QYResearch 最新调研报告显示,2029 年全球半导体用前驱体市场规模将达到 5446 百万美元,未来 几年年复合增长率 CAGR 为 10.9%。1. 下游芯片产业的发展:随着存储器容量及储存速度需求的不断提升,大容量 3D NAND 将成为未来主流, 刺激前驱体需求快速增长。 2. 先进节点技术的推动:随着技术的进步,先进节点在芯片制造过程对 High-k 前驱体材料的使用品种增多, 并且将带动新型稀有金属的 High-k 前驱体价格上升。 主要阻碍因素(壁垒): 1. 市场壁垒:半导体前驱体市场 Top3 企业占据了 70%的市场份额,市场高度集中,竞争激烈。头部企业 拥有成熟的供应链、下游客户以及市场份额,通常能够很好的满足客户需求,新进入者需要克服下游客户等 市场壁垒,争夺市场。
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