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2025-04-17 12 电子行业报告
先进封装为后摩尔时代延续芯片性能提升的重要手段之一。摩尔定律指集成电 路上容纳的晶体管数目约每 18 个月便会增加一倍,但随着晶体管特征尺寸缩小到 10nm 以下,量子隧穿效应导致漏电愈发严重,基于摩尔定律的芯片研发和制造成本 也会呈几何倍数增加,摩尔定律延续遇到瓶颈。业界提出深度摩尔(More Moore)、 超越摩尔(More than Moore)与新器件(Beyond CMOS),其中超越摩尔指不单通过 进一步缩小晶体管尺寸来达到摩尔定律,而是通过电路设计优化或先进封装工艺实 现。先进封装与传统封装以是否焊线来区分,发展方向分为小型化与高集成化。(1) 小型化:3D 封装突破传统的平面封装的概念,通过单个封装体内多次堆叠,实现了 存储容量的倍增,进而提高芯片面积与封装面积的比值。(2)高集成化:系统级封 装 SiP 能将数字和非数字功能、硅和非硅材料、CMOS 和非 CMOS 电路以及光电、 MEMS、生物芯片等器件集成在一个封装内,在不单纯依赖半导体工艺缩小的情况 下,提高集成度,以实现终端电子产品的轻薄短小、低功耗等功能,同时降低厂商 成本。
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