先进封装行业报告（49页）

行业报告下载 2024年08月13日 07:20 管理员

先进封装技术路径多元化，技术持续创新迭代，在市场需求的推动下，传统封装不断创新、演变，出现了各种新型的封装结构。随着封装技术进步和下游市场对于产品小型化需求增长，SiP（系统级封装）和 PoP（Package on package，叠成封装技术）奠定了先进封装时代的开始，以实现更高的集成密度。2D IC 封装技术（如倒装芯片 Flip-Chip、晶圆级封装 WLP）和 3D IC 封装技术（如硅通孔，TSV）的出现，进一步缩短了芯片之间的互连距离。近年来，先进封装的发展势头迅捷，如台积电的 InFO（集成扇出）和 CoWoS（Chip On Wafer On Substrate）、日月光的 FOCoS（基板上扇出芯片）、Amkor 的 SLIM（无硅集成模块）和 SWIFT（硅晶圆集成扇出技术）等。先进封装主要技术平台包括：倒装（FC）、晶圆级封装（WLP）、2.5D、3D 封装等。支持这些平台技术的主要互连工艺包括凸块（Bumping）、重布线（RDL）、硅通孔（TSV）、混合键合等，互连工艺升级是先进封装的关键。凸块（bumping）为先进的晶圆级工艺技术之一，将晶圆切割成单个芯片之前，在基板上形成由各种金属制成的“凸块”或“球”。晶圆凸块为倒装芯片或板级半导体封装的重要组成部分，已成为当今消费电子产品互连技术的标准。凸块在管芯和衬底之间提供比引线键合更短的路径，以改善倒装芯片封装的电气、机械和热性能。倒装芯片互连可减少信号传播延迟，提供更好的带宽，并缓解功率分配的限制。不同类型的凸块材料，其互连方法有所不同。凸块按照材料成分来区分，主要包括以铜柱凸块（Cu Pillar）、金凸块（Au Bump）、镍凸块（Ni Bump）、铟凸块（In Bump）等为代表的单质金属凸块和以锡基焊料为代表的焊料凸块（Solder Bump）及聚合物凸块等。凸块互连相关技术包括材料选择、尺寸设计、凸块制造、互连工艺及可靠性和测试等。

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