HBM高带宽内存行业报告（23页）

行业报告下载 2024年08月19日 06:54 管理员

HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽内存，作为全新一代的 CPU/GPU 内存芯片，其本质上是指基于 2.5/3D 先进封装技术，把多块 DRAM Die 堆叠起来后与 GPU 芯片封装在一起，实现大容量，高位宽的 DDR 组合阵列。在结构上，HBM 是由多个 DRAM 堆叠而成，主要利用 TSV（硅通孔）和微凸块（Micro bump）将裸片相连接，多层 DRAM die 再与最下层的 Base die 连接，然后通过凸块（Bump）与硅中阶层（interposer）互联。同一平面内，HBM 与 GPU、CPU 或 ASIC 共同铺设在硅中阶层上，再通过 CoWoS 等 2.5D 先进封装工艺相互连接，硅中介层通过 CuBump 连接至封装基板上，最后封装基板再通过锡球与下方 PCB 基板相连。

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