利基型存储行业报告（44页）

行业报告下载 2024年12月18日 06:05 管理员

DRAM 是一种断电后无法保存数据的易失性存储器，主要利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是 1 还是 0。由于实际晶体管中存在漏电流现象，导致电容上存储的电荷数量并不足以正确判别数据，从而毁损数据，因此 DRAM 需要周期性充电，维持数据不丢失。DRAM 因具备需要定时刷新的特性，也被称为“动态”存储器。Flash 则是一种具有记忆功能的存储芯片。闪存的存储单元采用了三端器件，分别为源极、漏极和栅极。其中，栅极与硅衬底之间有一层二氧化硅绝缘层，防止浮置栅极中的电荷泄漏。这种结构使得闪存存储单元具有电荷保持能力，一旦注入电荷，就会一直保持下去，直到被再次注入或释放，因此闪存具备记忆功能。

利基型存储行业报告（44页）