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2025-08-04 28 电子行业报告
半导体技术发展趋势:新材料和新架构的不断更替给半导体材料市场创造新机遇。 逻辑器件:当摩尔定律迈向极限,总会有新的材料和架构出现。随着制程的不断微缩,晶体管中栅极、介质层等尺寸变小,使得栅的控制能力不断下降, 28nm节点,氧化铪、氧化锆等HighK介质和TiN等金属栅增强了栅控制力;当制程进一步微缩,FinFET架构应运而生。当前材料上,介电材料与互联金属不 断优化,研发2D材料优化器件性能,使用钴等金属来增强互联效率;架构上,台积电开始采用GAAFET量产,持续提升能效比与集成密度。 DRAM:当前内存厂商开始采用铪、锆等High K材料,来增强电荷控制能力;此外,研发铁电材料,开辟3D架构,突破容量瓶颈。 NAND:对于未来3D NAND的扩展,字线(WL)堆叠以及内存单元的特征尺寸缩小将继续成为关键驱动因素。在没有产生颠覆性技术以前,更高的层数是 NAND增加内存单元的主要路径。此外,在WL部分,使用Mo代替W,可能会给Mo相关产品带来更多市场空间。 先进封装:摩尔定律迈向极限,人工智能浪潮带来更多算力需求,先进封装需求激增,驱动IC载板、塑封料、底填胶等材料市场扩容。 第三代半导体:新能源车、5G基站等场景催生百亿级增量市场,碳化硅(SiC)/氮化镓(GaN)引领功率与射频半导体革新。
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