5G射频前端芯片产业报告：自主可控全景图（118）

行业报告下载 2019年08月21日 06:52 管理员

根据QYR Electronics Research Center的统计，2018年全球市场规模约14.2亿美元，随着5G商业化落地，智能手机中天线和射频通路的数量将显著增多，对射频低噪声放大器的数量需求会迅速增加，因此预计在未来几年将维持高增长，2023年将达到17.9亿美元。

紫光展锐是紫光集成电路产业链中的核心企业，自成立以来致力于移动通信和物联网领域核心芯片的自主研发及设计，产品涵盖涵盖多频段宽带功率放大器、传输模块、WIFI FEM，支持CAT0、 CATM1和CATNB1的物联网前端模块，T/R开关，以及低通滤波器。

汉天下电子是中国领先的射频前端芯片和射频SoC芯片的供应商，主要产品为面向手机终端的 2G/3G/4G全系列射频前端芯片、面向物联网的无线连接芯片，支持高通、联发科、展讯、英特尔等基带平台，每年芯片的出货量达7亿颗。

卓胜微电子是国内领先的射频前端芯片设计企业，主营射频开关、射频低噪声放大器等射频前端芯片产品，是业界率先基于RF CMOS工艺实现了射频低噪声放大器产品化的企业之一，是国际上先行推出集成射频低噪声放大器和开关的单芯片产品的企业之一，发明了拼版式集成射频开关的方法，极大地缩短了射频开关的供货周期、提高了备货能力。目前产品的应用领域主要包括通信与互联网，下游客户覆盖了三星、小米、华为等消费电子巨头。

半导体材料共经历了三个发展阶段：第一阶段是以Si、Ge为代表的第一代半导体材料；第二阶段是以GaAs、InP等化合物为代表的第二代半导体材料；第三阶段是以GaN、SiC、ZnSe等宽禁带半导体材料为主的第三代半导体材料。第三代半导体材料具有较大的禁带宽度，较高的击穿电压，耐压与耐高温性能良好，因此更适用于制造高频、高温、大功率的射频器件。

氮化镓（GaN）是未来最具增长潜质的化合物半导体，与GaAs和InP等高频工艺相比，氮化镓器件输出的功率更大；与LDCMOS和SiC等功率工艺相比，氮化镓的频率特性更好。

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