LED光电显示行业报告：LCD、OLED、QLED、微型 LED、Micro LED、Mini LED（34页）

行业报告下载 2020年05月15日 07:15 管理员

被动驱动的 Micro LED 显示像素单元需要外部通过对 N/P 电极施加行列扫描信号来实现图像的显示。此结构的单个 LED 是互相隔离的，因此需要使用 ICP 刻蚀到衬底，由于刻蚀深度达到 5～6μm，后续进行金属连线时，金属线容易在深隔离槽处出现断裂。以主动方式驱动的 Micro LED 发光阵列采用单片集成或晶粒转移两种方式进行组装的。单片集成: LED 外延片被制成 LED 阵列(N×N 个 LED)，然后将阵列整体倒装到驱动基板上。这种结构一次可以转移多个 LED 发光单元，但是它无法解决彩色化问题，而从同一个基底有选择的生长出三种波长的发光材料目前是不现实的。但晶粒转移技术为彩色化方案提供了可能。与单片集成不同，这种技术将 LED 刻蚀成单晶粒形状，其中晶粒大小在 1～60μm 之间，结合巨量转移技术进行晶粒到驱动基底的大批量转移并键合。短期由于巨量转移技术尚不成熟，使得这种方式成本比较高。

LED 器件封装有两条主要技术路线 SMD 技术路线和 COB 技术路线。SMD （Surface Mounted Devices）技术路线是 LED 上游厂商完成外延材料和芯片制造，下游厂商完成各种 LED 器件的封装和 LED 显示产品的制造。由于 SMD 表贴灯珠为分立器件，在形成显示产品的过程中需高温焊接，受热冲击影响，降低可靠性；同时 SMD 表贴灯珠粘接力差，防护性能弱，在应用过程容易造成损伤，影响产品使用。因此 SMD 技术路线不适用于小间距 LED 显示屏的制造。

COB（Chip On Board）技术路线是将驱动 IC 焊接直接焊接在显示基板后表面上，LED 晶元固定于显示基板的前表面，薄膜粘贴在显示基板前表面，LED 晶元为普通红、绿、蓝 LED 发光芯片，实现集成封装。由阵列模组、显示单元的高精密度组装实现 LED 超大屏幕拼接显示。